Лавинный транзистор

Cтраница 1

Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллекторного перехода. В зависимости от схемы включения они могут иметь управляемые S-образные ( со стороны коллектора или эмиттера) и N-образные ( со стороны базы) вольт-амперные характеристики. Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возможно, но при этом не обеспечиваются необходимое быстродействие, амплитуда импульсов, стабильность и надежность. Например, одной из причин, снижающих эффективность использования обычных высокочастотных транзисторов в лавинном режиме, является значительное снижение частоты fit при росте коллекторного тока. [1]

Лавинный транзистор - транзистор, предназначенный для работы при таких значениях обратного напряжения на коллекторном переходе, при которых развивается лавинное умножение носителей и за счет этого коэффициент усиления по току а становится больше единицы. Поскольку у плоскостных транзисторов в отсутствие лавинного умножения значение а лишь немногим меньше единицы, достаточно сравнительно слабого умножения для получения значений а, превышающих единицу. [2]

Лавинный транзистор - транзистор, предназначенный для работы при таких значениях обратного напряжения на коллекторном переходе, при которых развивается лавинное умножение носителей и за счет этого коэффициент усиления по току а становится большим единицы. Поскольку у плоскостных транзисторов в отсутствие лавинного умножения значение а лишь немногим меньше единицы, достаточно сравнительно слабого умножения для получения значений а, превышающих единицу. [3]

Семейство коллекторных характеристик точечного транзистора. [4]

Лавинные транзисторы по сравнению с обычными плоскостными фанзисторами не имеют существенных структурных или конструктив-шх особенностей. [5]

Лавинные транзисторы позволяют получать в схемах импульсных генераторов импульсы с длительностью фронта порядка десятых и даже тысячных долей микросекунды. Это свидетельствует, в первую очередь, о том, что их частотные характеристики не хуже частотных характеристик обычных биполярных транзисторов. [6]

Лавинные транзисторы остаются работоспособными при температурах, достигающих 100 С, правда, при этом происходит значительный уход параметров. До температуры 50 С серьезного изменения параметров лавинного триода не наблюдается. Хорошие температурные свойства объясняются, с одной стороны, применением низкоомных материалов, с другой стороны, характером основных зависимостей. Пробивное напряжение с температурой изменяется незначительно, примерно по 0 1 % на один градус. [7]

Схема включения лавинного транзистора и образование участка отрицательного сопротивления на его вольт-амперной характеристике. [8]

Лавинный транзистор отличается от обычного биполярного тем, что он работает при таком напряжении на коллекторе, когда существенную роль играет ударная ионизация в сильном электрическом поле слоя объемного заряда коллекторного р - - перехода. [9]

Структура тока через коллекторный переход точечного транзистора.| Семейство коллекторных характеристик точечного транзистора. [10]

Лавинные транзисторы по сравнению с обычными транзисторами не имеют существенных структурных или конструктивных особенностей. [11]

Лавинные транзисторы предназначены для работы в импульсных устройствах. Это обычные транзисторы, работающие в режиме лавинного пробоя, при котором в коллекторном переходе происходит лавинное размножение носителей заряда. [12]

Схема включения тиристора ( а и вольтамперная характеристика ( б. [13]

Лавинный транзистор, включенный по схеме рис. 11.346, является элементом, обладающим отрицательным сопротивлением ( при увеличении напряжения тока уменьшается), и может служить для целей переключения и генерирования импульсов. Такая схема обладает двумя устойчивыми состояниями. В этом режиме через транзистор протекает ток, определяемый сопротивлением, включенным в коллекторную цепь. Характеристика лавинного транзистора ( график 3) весьма похожа на вольтамперную характеристику ионного прибора, у которого после наступления зажигания напряжение скачком уменьшается, а ток скачком возрастает. [14]

Лавинные транзисторы позволяют получать в схемах импульсных генераторов импульсы с длительностью фронта порядка десятков наносекунд. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5