Лавинный транзистор
Cтраница 2
Лавинными транзисторами называют транзисторы, в которых эффект лавинного умножения в коллекторном переходе используется для повышения коэффициента передачи тока а. [16]
 |
Семейство выходных. [17] |
Лавинным транзистором называется биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе. [18]
Быстродействие лавинных транзисторов характеризуется временем нарастания Тнар импульсов. [19]
Чем отличается лавинный транзистор от обычного транзистора. [20]
Что представляет собой лавинный транзистор. [21]
Существенным недостатком лавинных транзисторов является относительно большое значение остаточного напряжения, что приводит к большому рассеиванию мощности на транзисторе во включенном состоянии. [22]
Запускающий импульс включает лавинный транзистор VT1, а затем за счет роста напряжения на коллекторах транзисторов VT2 и VT3 включаются и последующие транзисторы. На выходе появляется импульс с утроенной амплитудой. На резисторе R10 сопротивлением 150 Ом амплитуда импульса равна 400 В, а на резисторе сопротивлением 75 Ом близка к 300 В. [23]
 |
Зависимость ко - с удельным сопротивлением по. [24] |
Таким образом, лавинный транзистор - это биполярный транзистор, изготовленный из материала с удельным сопротивлением порядка нескольких десятых долей ом на сантиметр. Только в этом случае может наблюдаться устойчивое умножение тока в коллекторном переходе, связанное с ударной ионизацией. [25]
Разновидностью биполярных являются лавинные транзисторы, рабочий участок характеристики которых находится в области лавинного пробоя коллекторного перехода. Лавинообразное нарастание коллекторного тока происходит в течение нескольких наносекунд. Лавинные транзисторы предназначены для генерирования мощных импульсов наносекундного диапазона. [26]
Наиболее перспективным вариантом лавинного транзистора является / э-п-р-меза - транзистор с использованием слоистой р - р-структу-ры, полученной методом эпитаксиального наращивания, в качестве коллекторной области. [27]
Хотя принцип работы лавинного транзистора известен довольно давно, их использование до последнего времени было весьма ограниченным, так как недостаточно высокий уровень полупроводниковой технологии не позволял реализовать потенциальные преимущества этих приборов. [28]
При оценке быстродействия лавинных транзисторов необходимо учитывать зависимость ширины базы от тока. [29]
Хотя принцип работы лавинного транзистора известен довольно давно, их использование до последнего времени было весьма ограниченным, так как недостаточно высокий уровень полупроводниковой технологии не позволял реализовать потенциальные преимущества этих приборов. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5