Лавинный транзистор

Cтраница 4

Указанным требованиям отвечают ПНЧ на лавинных транзисторах и на базе LC-автогенераторов с варикапами в качестве управляемой емкости. [46]

Это явление используют только в лавинных транзисторах. [47]

Автосинхронизационный генератор с релаксатором на негатроне. [48]

S-типа имеют динисторы, тиристоры, лавинные транзисторы, двухбазовые диоды. [49]

Семейства статических характеристик.| Семейства статических характеристик усиления типа / 2 - f ( U транзистора, включенного по схеме ОБ ( и и ОЭ ( б.| Семейство статических характеристик обратной связи транзистора, включенного по схеме ОБ. [50]

Наиболее низкое значение UKa бывает у лавинных транзисторов ( с. В этой области напряжений в схеме ОЭ выходные характеристики могут направляться вверх налево ( на рис. 2 - 41, б изображены штриховыми линиями), что соответствует отрицательному дифференциальному сопротивлению. В области лавинных режимов коэффициент усиления по току и1 и возможно создание специальных схем ( особенно импульсных), отличающихся высокой эффективностью использования транзисторов. В обычных усилительных схемах заход в область лавинных режимов, как правило, недопустим, так как может приводить к сильным искажениям сигналов, самовозбуждению и даже повреждению транзистора. [51]

В нагрузке, включенной последовательно с лавинным транзистором в цепь эмиттера или коллектора, протекает импульс тока, фронт которого определяется лавинными процессами. В связи с этим постоянная времени нарастания тока в лавинном транзисторе значительно меньше времени пролета неосновных носителей через базу и существенно зависит от коэффициента умножения. Кроме того, в режиме умножения тока через базу будет протекать значительный по величине ток основных носителей, который создает в области базы поле, увлекающее инжектированные носители к коллектору. [52]

Удельное сопротивление материала, из которого изготовляют лавинный транзистор, не должно быть ниже 0 1 Ом-см, в противном случае пробой перехода будет определяться не лавинным, а зенеровским эффектом. [53]

Семейства статических характеристик.| Семейства статических характериств. [54]

Наиболее низкое значение напряжение UKai имеет у лавинных транзисторов ( см. стр. В этой области напряжений в схеме с общим эмиттером выходные характеристики могут направляться вверх налево ( на рис. 9 - 51 6 изображены штриховыми линиями), что соответствует отрицательному дифференциальному сопротивлению. В области лавинных режимов коэффициент усиления по току а1 и возможно создание специальных схем ( особенно импульсных), отличающихся высокой эффективностью использования транзисторов. В обычных усилительных схемах заход в область лавинных режимов недопустим, так как приводит к сильным искажениям. [55]

Однако, несмотря на определенное сход-тво с лавинным транзистором, динистор меет принципиальную особенность. [56]

Рассмотрим физические явления при усилении тока в лавинном транзисторе. [57]

График, связывающий удельное сопротивление, концентрацию примесей и напряжение. [58]

Поэтому удельное сопротивление материала, из которого изготавливается лавинный транзистор, должно быть не ниже 0 1 - 0 2 ом-см. [59]

Однопереходный транзистор по быстродействию уступает туннельным диодам и лавинным транзисторам. Особенно эффективно использование таких транзисторов в генераторах низких и инфранизких частот повторения. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5