Мощный полевой транзистор

Cтраница 1

Мощные полевые транзисторы имеют короткие каналы, обеспечивающие насыщение скорости носителей благодаря сильному электрическому полю, создаваемому напряжением стока. Поскольку силовая крутизна S пропорциональна скорости движения носителей заряда, в области малых токов наблюдается ее рост с увеличением выходного тока. Затем наступает насыщение крутизны, при котором смещение в цепи затвора и увеличение тока стока не вызывают дальнейшего роста параметра S. Данное свойство обеспечивает устойчивость полевых транзисторов к токовым перегрузкам по сравнению с биполярными аналогами. [1]

Разработка мощных полевых транзисторов для S - и Х - диапазо нов. [2]

Применение мощных полевых транзисторов в выходных каскадах усилителей звуковой частоты ( усилителях мощности) имеет ряд преимуществ перед использованием для тех же целей мощных биполярных транзисторов. [3]

Структура СИТ ( а, вид структуры сбоку ( б, выходные ВЛХ ( в. [4]

Типичная структура мощного полевого транзистора с управляющим р-п переходом изображена на рис. 4.36, а. [5]

Показаны особенности управления мощными полевыми транзисторами, раскрыты принципы построения и возможности современных микросхем: драйверов, контроллеров, источников опорного напряжения. С различных позиций анализируются цепи подавления выбросов напряжения на ключах и диодах. В конце данной части рассмотрены принципы подавления электромагнитных помех, создаваемых преобразователем, применяемые при этом технические решения и компоненты, а также вопросы отвода выделяемого тепла. [6]

К числу неоспоримых достоинств мощных полевых транзисторов относится высокая надежность их параллельной работы. Необходимость параллельной работы MOSFET появляется, если действующее значение тока, обеспечиваемое одним транзистором, оказывается недостаточным, а более мощный транзистор с требуемыми временами включения и выключения либо не существует, либо недоступен по конструктивным или экономическим соображениям. Полевые транзисторы не испытывают перегрузок при их параллельном включении, если выполняются определенные условия. [7]

Эванс, Хоффман и др. Мощные полевые транзисторы с V-МОП-структурой - перспективные конкуренты мощных биполярных приборов. [8]

В схеме д мы использовали низкопороговый и-канальный мощный полевой транзистор; благодаря высокому входному импедансу транзистора такой способ управления особенно удобен. При управлении ТТЛ-уровнями для обеспечения нормальных условий работы лучше использовать резисторную подвеску к питанию, поскольку минимальный гарантированный в ТТЛ-элементах высокий уровень ( 2 4 В) является слишком низким. [9]

Эти очевидные преимущества первых промышленных образцов мощных полевых транзисторов вызвали к середине 70 - х годов настоящую эйфорию, позволившую говорить о вытеснении и полной замене широко распространенных биполярных транзисторов во многих областях применения. Однако на практике все оказалось не так просто. [10]

В табл. 6 приведены основные электрические параметры мощных полевых транзисторов. [11]

Таким образом, главное требование к параметрам мощных полевых транзисторов - это снижение сопротивления канала, что обеспечивается созданием короткого канала. С этой целью в мощных полевых транзисторах переходят от рассмотренных ранее горизонтальных ( планарных) структур к вертикальным, в которых направление тока перпендикулярно поверхности структуры. [12]

Условные обозначения полевых транзисторов.| Приближенная эквивалентная. [13]

Наряду с маломощными усилительными приборами возможно создание мощных полевых транзисторов для работы с токами в десятки ампер при напряжениях в сотни вольт. [14]

Эквивалентные схемы. [15]

Страницы: 1 2 3