Мощный полевой транзистор

Cтраница 3

Известен довольно простой способ уменьшить время рассасывания носителей IGBT при его выключении ( может составлять до 1 5 мкс) и время спада тока ( до 1 2 мкс), что позволит вести работу ключа на более высоких частотах. Идея заключается в подсоединении к IGBT мощного полевого транзистора. [31]

Устройство этого типа прибора дано па рис. 6.10. Полевые тиристоры состоят из p - v - n - диода, выводами которого являются анод и катод прибора, и управляющего электрода. Конструкция управляющего электрода аналогична той, что используется в затворах мощных полевых транзисторов с управляющим р - / г-переходом. Если на анод подано положительное по отношению к катоду напряжение и управляющий переход открыт, то дырки со стороны анода, а электроны со стороны катода инжектируются в v-базу, снижая ее сопротивление. Напряжение между катодом и анодом мало, типичное прямое напряжение на приборе составляет 1 - 1 5 В. [32]

Для статических индукционных транзисторов система приводимых предельных и характеризующих параметров имеет существенный разброс, зависящий от паспортных данных фирм-изготовителей, и не регламентирована на отечественные приборы. Наиболее полно данные ключи могут быть охарактеризованы системой параметров, применяемой для мощных полевых транзисторов ( МДП, IGBT), дополненной специальными параметрами, отражающими возможность переключения в биполярный режим. Система дополнительных параметров для СИТ представлена в Табл. [33]

Управление стойкой транзисторов от драйвера. [34]

Данный вид управления применяется в тех случаях, когда ШИМ-контроллер и силовые ключи, выполняемые на полевых транзисторах, гальванически разделены или когда при управлении стойками транзисторов применение драйверов, способных переключать транзисторы, затворы которых находятся под высоким потенциалом, по каким-то причинам становится невозможным. Несмотря на то что трансформаторы, в том числе и управляющие, являются одними из наиболее дорогостоящих компонентов преобразовательной техники и к тому же не самыми технологичными, широко применяется трансформаторное управление мощными полевыми транзисторами. [35]

Источник тока па нолевых биполярных транзисторах, предназначенный для больших юков. [36]

При минимальном значении / си для Т, равном 4 мА, и подходящем значении Р для Т2 величина тока, протекающего через нагрузку, может достигать 100 мА и более ( для получения больших токов транзистор Т2 можно заменить транзистором Дарлингтона, при этом нужно соответственно уменьшить RJ. В данной схеме были использованы полевые транзисторы с р - - переходом, но еще лучше было бы использовать полевые МОП-транзисторы, так как для ОУ на полевых транзисторах с р - переходом требуется расщепленный источник питания, обеспечивающий диапазон напряжения на затворе, достаточный для перехода транзистора в режим отсечки. Ничего не стоит с помощью простого мощного полевого МОП-транзистора ( МОП-структура с V-образной канавкой) получить ток побольше, однако мощным полевым транзисторам присущи большие межэлектродные емкости, а представленная здесь гибридная схема как раз и позволяет преодолеть связанные с этим проблемы. [37]

Страницы: 1 2 3