Мощный полевой транзистор

Cтраница 2

Еще одним достоинством ( кроме отмеченных выше) мощных полевых транзисторов является высокая температурная стабильность параметров этих приборов по сравнению с мощными биполярными транзисторами. [16]

Управление мощным полевым транзистором с помощью КМОП логики.| Схема управления MOSFET с использованием эмитгерных повторителей. [17]

Эффективным способом достичь сокращения времени включения и выключения мощного полевого транзистора является применение эмитгерных повторителей между логической схемой, ШИМ-контроллером, специальной микросхемой-драйвером и затвором управляющего транзистора. Одновременно с этим достигается еще один результат - снижение нагрузки по току на выходной каскад управляющей микросхемы. [18]

Источник тока на полевом транзисторе с р-каналом.| Источник тока на полевом транзисторе с квази-р-каналом.| Биполярный источник тока с полевыми транзисторами. [19]

Если требуется получить больший выходной ток, можно применить мощный полевой транзистор или же использовать выходной каскад по схеме Дарлингтона, который в этом случае будет состоять из маломощного полевого и мощного биполярного транзисторов, как показано на схеме рис. 12.12. Параметры источника при этом не изменяются. [20]

В ключевом режиме необходимо стремиться к тому, чтобы сопротивление мощного полевого транзистора в открытом состоянии было минимальным, тогда потери мощности и транзисторе Р / сгкан также будут минимальными. В усилительном режиме потери мощности в режиме покоя пропорциональны амплитуде выходного сигнала и неизбежны ( см. Введение); эти потери и соответственно температура структуры, пропорциональны сопротивлению канала. Кроме того, при большом сопротивлении канала происходит снижение крутизны транзистора как за счет перегрева, так и вследствие возникновения отрицательной обратной связи через сопротивление истока. [21]

Существуют значительные различия между параметрами, конструкцией и технологией изготовления маломощных и мощных полевых транзисторов. [22]

Из транзисторов, разработанных в последнее время, следует также отметить мощные полевые транзисторы, управление которыми осуществляется воздействием напряжения на сечение канала, по которому проходит ток. Положительной особенностью полевых транзисторов является высокое входное сопротивление, что позволяет свести к минимуму потери мощности на управление ключевыми элементами преобразовательных устройств. Основным их недостатком является сравнительно высокое сопротивление во включенном состоянии. [23]

На этом же рисунке приведены результаты измерения зависимости S / SOQ для мощного полевого транзистора. Это свидетельствовало о том, что действительно саморазогрев прибора не наблюдался. [24]

Усиление по мощности у полевых транзисторов имеет тенденцию к росту при увеличении рабочих токов, что открывает хорошие возможности для создания мощных полевых транзисторов. [25]

Отметим, что в справочниках по полевым транзисторам обычно приводятся не все, а только некоторые из рассмотренных характеристик. Для мощных полевых транзисторов, работающих в ключевом режиме, обычно приводится значение сопротивления открытого канала, максимальный ток стока и предельное напряжение на стоке. [26]

Быстродействие МДП-транзистора определяется его межэлектродными емкостями. Паразитные межэлектрод-лые емкости мощных полевых транзисторов увеличиваются пропорционально мощности транзистора, что связано с ростом геометрических размеров структуры прибора. [27]

Таким образом, главное требование к параметрам мощных полевых транзисторов - это снижение сопротивления канала, что обеспечивается созданием короткого канала. С этой целью в мощных полевых транзисторах переходят от рассмотренных ранее горизонтальных ( планарных) структур к вертикальным, в которых направление тока перпендикулярно поверхности структуры. [28]

В настоящее время создано несколько типов полевых транзисторов, например мощностью 50 Вт при частоте 100 МГц, 10 Вт при 2 ГГц; 4 Вт при 4 ГГц; 3 Вт при 6 ГГц. Направление, связанное с разработкой мощных полевых транзисторов, интенсивно развивается. [29]

Работа ключа, составленного из IGBT и MOSFET, на индуктивно-активную нагрузку. a - схема. б - диаграммы управляющих сигналов и напряжения на ключе. [30]

Страницы: 1 2 3