Кремниевый полевой транзистор

Cтраница 1

Цоколевка ( а, габаритные размеры ( б и условное изображение ( в полевого транзистора КП103. [1]

Кремниевые полевые транзисторы КП103 ( Е, Ж, И, К, Л, М) имеют p - n - переход и канал р-типа и выпускаются в металлическом или пластмассовом корпусе ( рис. 72, а-в) массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от - 55 до 85 С. [2]

Кремниевые полевые транзисторы КП302 ( А, Б, В) с р-п-пере-ходрм и каналом n - типа выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами ( рис. 73, б), массой 1 5 г, с диапазоном рабочих температур от - 70 до 100 С, Напряжение на стоке положительное относительно истока, а на затворе - г отрицательное. [3]

Кремниевые полевые транзисторы КП306 ( А, Б, В), имеющие МОП-структуру с двумя изолированными затворами и встроенным каналом n - типа ( исток и подложка соединены с корпусом), выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами ( рис. 73, д), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от - 60 до 125 С. [4]

Кремниевые полевые транзисторы КП350 ( А, Б; В), имеющие МОП-структуру с двумя изолированными затворами и встроенным каналом я-типа, выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами ( см. рис. 73 5), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от - 40 до 85 С. Напряжение на стоке положительное относительно истока, на затворах - - отрицательное. Электрические параметры транзисторов приведены ниже. [5]

Кремниевые полевые транзисторы КПЗОЗ ( А-И) выпускают с p - n - переходом и каналом n - типа в металлическом корпусе с гибкими выводами ( рис. 73, в), массой 0 5 г, с диапазоном рабочих температур от - 40 до 85 С. Напряжение на стоке положительное относительно истока, на затворе - отрицательное. [6]

Схемы представ - Кл. [7]

Для кремниевых полевых транзисторов с управляемым р-п переходом коэффициент шума колеблется от 0 3 до 0 5 дБ при fl кГц и R3 МОм. У биполярных транзисторов коэффициент шума значительно больше коэффициента шума полевых транзисторов, да и сами шумовые процессы в биполярных транзисторах, возникающие в области внутренней структуры, значительно сложнее, чем у полевых. [8]

В кремниевом полевом транзисторе с управляющим р-п-переходом с каналом р-типа половина ширины канала при напряжении ги0 составляет 3 мкм. [9]

Схема кремниевого полевого транзистора типа металл-оксид-полупроводник а электроны прижимаются к слою оксида электрическим полем затвора. б электроны прижимаются к слою AlGaAs электрическим полем заряженных донорных примесей кремния (, которые находятся в AlGaAs. в электроны на поверхности раздела связаны в треугольной потенциальной яме. [10]

Выше дана схема кремниевого полевого транзистора типа металл-оксид-полупроводник, Двумерная электронная система располагается у поверхности раздела между кремнием и двуокисью кремния. [11]

Схема включения поле-вого транзистора с общим затвором ( а и с общим стоком ( б. [12]

Как правило, выпускаются кремниевые полевые транзисторы. Кремний применяется потому, что ток затвора, т.е. обратный ток п-р-перехода, получается во много раз меньше, чем у германия. [13]

А; 2ПЗОЗА - кремниевый полевой транзистор, предназначенный для устройств широкого применения, м алой мощности, высокочастотный, номер разработки 03, группа А. [14]

Величина / г у кремниевых полевых транзисторов достигает значений 150 - 200 МГц. Однако при использовании полевых транзисторов в усилительных схемах следует учитывать, что применение их в качестве приборов с высоким входным сопротивлением ограничивается частотами в несколько десятков и в лучшем случае сотен килогерц. Для повышения частотного предела транзисторов необходимо использовать схемные решения, уменьшающие влияние емкости затвора. [15]

Страницы: 1 2 3