Кремниевый полевой транзистор

Cтраница 3

Схема установки трафаретной печати.| Схема конвейерной печи для вжигаиия толстопленочных ИС ( а и один из примеров температурного режима обжига ( б. [31]

Химическое осаждение из газообразной и жидкой фазы позволяет получать изоляционные, полупроводиковые и проводниковые пленки. Разложением SiCl4 получают пленки поликристаллического кремния. Такие пленки используются при изготовлении самосовмещающихся затворов кремниевых полевых транзисторов. Электрохимические методы формирования диэлектрических пленок пригодны для построения конденсаторов с повышенной электрической прочностью. [32]

Очевидно, наиболее впечатляющая черта 1 / / - шума - его вездесущность: его наблюдали у всех видов угольных резисторов, у полупроводниковых кристаллов, включая кремний и германий, у кристаллов группы III-V, у приборов на основе р-я-переходов, у МОП-структур, у сплошных и несплошных металлических пленок, металлических вискеров и водных электролитов. Кроме этого, он присутствует и у сверхпроводниковых материалов. С другой стороны, заслуживает внимание тот факт, что у хороших кремниевых полевых транзисторов с р-я-переходами 1 / / - шум по существу отсутствует [29]; причем крайне удивительно то, что ПТ из GaAs обладают значительным l / f - шумом. Ван-дер - Зил отметил [63], что у этих двух типов транзисторов различные структуры: канал в ПТ с р-я-перехо-дами ограничивается обедненным слоем, тогда как у канала в транзисторах из GaAs из-за малой площади затвора границей является сравнительно большая область поверхности раздела полупроводник - окисел. Отсутствие l / f - шума у кремниевых ПТ можно объяснить, приписав его возникновение поверхностному механизму, связанному с центрами захвата носителей в слое окисла [ идея, о которой мы уже упоминали в связи с рассмотрением МОП ПТ и которую мы еще обсудим позднее ( разд. [33]

На рис. П-8 также показана точка измерения тока стока при нулевом смещении затвора; этот ток называется током насыщения / с нас и измеряется в области перекрывания канала. Прикладывая прямое смещение к переходу затвор - сток, можно получить более высокий ток, чем / снас, хотя входное сопротивление быстро падает, когда режим перехода затвор - исток приближается к области прямой проводимости. В области, простирающейся на несколько десятых вольта, по обе стороны от линии 1 / зи0 характеристики в области насыщения симметричны и линейны относительно данной линии. Такое свойство кремниевых полевых транзисторов позволяет применять их в малосигнальных схемах с нулевым смещением. [34]

Для получения высоких значений максимальной крутизны и тока стока полевого транзистора в качестве исходного материала его токопроводящего канала желательно брать полупроводник с наибольшей подвижностью основных носителей заряда. Необходимость в высоком входном сопротивлении ( малый обратный ток перехода) требует выбирать в качестве исходного материала полупроводник с широкой запрещенной зоной. При изготовлении полевых транзисторов выгодно брать интерметаллические соединения, в частности арсенид галлия, у которого подвижность основных носителей заряда выше, чем в германии, а ширина запрещенной зоны больше, чем у кремния. В настоящее время наиболее широко распространены кремниевые полевые транзисторы ( их иногда делают из сульфида кремния и карбида кремния), которые обладают более высоким по сравнению с германиевыми входным сопротивлением и сохраняют работоспособность до 120 С. [35]

Полезная особенность полевых транзисторов с управляющим р-п переходом заключается в существовании режима, при котором ток стока не зависит от температуры. С повышением температуры уменьшается контактная разность потенциалов фк ( см. стр. Но одновременно уменьшается подвижность носителей, следовательно, ток стока также должен уменьшаться. Взаимная компенсация обоих эффектов при / с / со происходит у кремниевых полевых транзисторов с напряжением отсечки t / o около 0 6 В. [36]

Страницы: 1 2 3