Кремниевый полевой транзистор
Cтраница 2
X е и м а н, Кремниевый полевой транзистор с изолированным затвором, Труды института радиоинженеров ( русск. [16]
Известно также [39], что напряжение отсечки всех кремниевых полевых транзисторов изменяется одинаково с изменением температуры и это изменение приблизительно равно 2 мВ / С. [17]
Открытие квантового эффекта Холла ( КЭХ) - результат фундаментальных исследований кремниевых полевых транзисторов, которые являются наиболее важным прибором в микроэлектронике. В отличие от других проводников, концентрация электронов в этих приборах может меняться в широких пределах просто путем изменения напряжения на затворе. Поэтому такая система идеальна для исследований эффекта Холла при различных концентрациях носителей путем изучения зависимости напряжения Холла от напряжения на затворе. Однако если отношение числа электронов N к числу квантов потока Np в пределах площади транзистора является целым, возникают плато. В случае, когда один электрон приходится на один квант потока ( что соответствует полностью заполненному нижнему уровню Ландау с фактором заполнения, равным 1), напряжение Холла, деленное на ток, является фундаментальной константой Як h / e2 ( 25812 807ЬО, 005) Ом. Это холловское плато едва заметно в верхнем левом углу рис. 9.40 и искажено из-за большого сопротивления прибора, обусловленного явлениями локализации при относительно малой плотности электронов. Плато при концентрациях электронов, в 2 и 4 раза больших, разрешаются значительно лучше. В настоящее время имеются электронные системы лучшего качества, что делает возможными измерения при значительно меньшей концентрации электронов с факторами заполнения, меньшими единицы. [18]
Наилучшими усилительными приборами для входных каскадов УПТ с малым дрейфом нуля являются кремниевые полевые транзисторы с напряжением отсечки около 0 6 В, у которых возможна автоматическая компенсация двух составляющих температурного дрейфа тока стока ( стр. [20]
Основным материалом для изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором является кремний. Для производства кремниевых полевых транзисторов с изолятором из двуокиси кремния применяются обычные методы планарной технологии. В процессе изготовления для получения требуемых параметров и уменьшения их разброса необходимо строго следить за геометрическими размерами структуры и толщиной слоев. [21]
Клитцингом и др. [9.72], показана на рис. 9.39 а. Он состоит из кремниевого полевого транзистора металл-окисел-полупроводник. Двумерный электронный газ, являющийся сердцем эксперимента, заперт в инверсионном слое ( см. гл. [22]
 |
Структурная схема двухко-ординатного прибора Н306. [23] |
Для увеличения чувствительности в прибор встроен сменный блок предусилителя, который включается вместо входного делителя. В модуляторе вместо ключей использованы кремниевые полевые транзисторы. [24]
 |
Вольтамперная характеристи - ного стабилизирую-ка стабилизирующего элемента. Щего элемента ( СЭ И. [25] |
Рассматривается ряд применений полевых транзисторов в качестве нелинейных сопротивлений. Приводятся экспериментальные результаты, полученные для схемы стабилизации тока, в которой в качестве стабилизирующего элемента используются кремниевые полевые транзисторы. [26]
Температурная зависимость параметров полевого транзистора, по сравнению с биполярным транзистором, практически мало заметна. В целом температурный коэффициент значительно лучше, чем у биполярного, и обычно не превышает 0 2 % на 1 К - Кремниевые полевые транзисторы могут успешно работать при / 125 С. В связи с перечисленными преимуществами полевые транзисторы, особенно МДП-транзисторы, являются весьма перспективными активными элементами. [27]
Одновременно развитие электроники идет в направлении создания и новых принципов усиления. В 1962 г. создан кремниевый полевой транзистор с изолированным затвором, позволяющий создавать схемы, содержащие тысячи транзисторов. МОП ИС проще в изготовлении, чем биполярные транзисторы, потребляют меньшую энергию, допускают более высокий уровень интеграции, их изготовление дешевле. [28]
При этом сопротивление отпертого транзистора складывается из последовательно включенных сопротивлений пассивных областей истока и стока и сопротивления открытого канала. Сумма этих трех сопротивлений у маломощных кремниевых полевых транзисторов обычно составляет сотни ом. [30]
Страницы: 1 2 3