Тонкопленочный транзистор

Cтраница 1

Тонкопленочные транзисторы не имеют термических ограничений до тех пор, пока не превышен критерий, равный нескольким сотням мегагерц. Хотя рассеяние мощности для оценки верхнего предела gm не является единственной предпосылкой, однако авторы использовали этот критерий для разбраковки экспериментальных приборов. [1]

Технология формирования тонкопленочного транзистора очень сходна с технологией изготовления интегральной схемы. [2]

Конструкция тонкопленочного транзистора. [3]

Возможная конструкция тонкопленочного транзистора показана на рис. 10.8. Электроды исток и сток обычно изготовляются из металлов, которые создают низкоомный контакт с полупроводником. [4]

Тонкопленочная схема. [5]

Наиболее перспективной технологией тонкопленочных транзисторов и диодов является метод выращивания монокристаллических пленок из полупроводникового материала в парообразном состоянии. [6]

Зависимость тока исток - сток от потенциала затвора.| Энергетическая диаграмма пленочного транзистора. [7]

Поскольку затвор в тонкопленочном транзисторе отделен от полупроводника диэлектриком, входное сопротивление этого прибора может достигать нескольких десятков мегом. Входная емкость зависит от геометрии и может лежать в пределах от нескольких десятков до нескольких сот пикофарад. [8]

В родственной структуре, тонкопленочном транзисторе [1952], используются омические контакты с тонкой пленкой высокоомного поликристаллического полупроводника - CdSe, CdTe, CdS, Se или Те. Свойства этих структур не такие благоприятные, как структуры кремний - двуокись кремния, поэтому они не применяются столь широко в приборах и для фундаментальных исследований. [9]

Базовые молекулы жидкокристаллического полимера.| Очистка плоских индикаторов. [10]

На задней пластине формируют рисунок тонкопленочных транзисторов и металлических межсоединений. Две пластины соединяют в процессе сборки и, если необходимо, разрезают и разделяют на отельные индикаторы. Зазор между двумя стеклянными пластинами заполняется жидкокристаллическим веществом. Индикаторы осматривают и проверяют; на каждую стеклянную пластину наносят пленку поляризатора. [11]

За последнее время фирмой RCA разработан тонкопленочный транзистор TFT ( thin film transistor), изготовляемый методом испарения на стеклянной подложке. Тоякопленочный транзистор TFT имеет следующие параметры: крутизна 10000 мкмо, коэффициент передачи напряжения более 100 и скорость переключения менее 0 1 MKceKt Еще не решены полностью вопросы стабильности, герметизации и получения заданных допусков в транзисторе. [12]

Рассмотрены последние достижения в области получения тонкопленочных транзисторов ( ТПТ) на основе поликристаллического кремния на стеклянных подложках. Обсуждаются свойства пленок поликристаллического кремния, полученных осаждением в высоком или сверхвысоком вакууме. Рассматривается также изготовление 21-кас-кадного генератора на ТПТ со временем задержки распространения сигнала 200 не. [13]

Скальский [126, 127] попытался применить пленки РЬТе для тонкопленочных транзисторов. Его результаты близки к данным Пенбейкера [100], правда, нужно учитывать, что Скальский использовал эпитаксиальные пленки на NaCl. Плотность поверхностных состояний была весьма небольшой. [14]

Принципиальная схема устройства сдвига уровня и двоичного элемента памяти для ЖКИ. [15]

Страницы: 1 2 3