Тонкопленочный транзистор

Cтраница 2

Для обеспечения надежного функционирования при изменении порогового напряжения и коэффициента усиления тонкопленочных транзисторов в схеме использован более высокий логический уровень сигнала. Транзистор VT1 задает напряжение смещения для транзистора VT2 на уровне, несколько меньшем, чем его пороговое напряжение. Транзистор VT3 открыт при низком уровне входного напряжения, и через него источник тока замыкается на линию ввода логических сигналов. Транзисторы VT4 и VT5 обеспечивают устойчивость сдвига уровней. Устройство сдвига уровня имеет дополнительный инвертор и обеспечивает формирование как прямого, так и инвертированного сигналов. [16]

Поликристаллические и эпитаксиаль-нш пленки соединений AniBv, полученные конденсацией в вакууме, можно с успехом использовать для создания датчиков Холла II магнитосопротивлений [154], тонкопленочных транзисторов [135] и ряда других приборов. [17]

Качество пленок a - Si, xGex: Н может быть повышено до уровня, достаточного для производства на их основе солнечных элементов, светодатчиков и тонкопленочных транзисторов. [18]

Качество пленок a - Si, xGex:: Н может быть повышено до уровня, достаточного для производства на их основе солнечных элементов, светодатчиков и тонкопленочных транзисторов. [19]

Обсуждаются электрические свойства пленок гидрогенизированных аморфных кремнийгермаииевых сплавов ( a - Si, ( ie: Н) в связи с их применением в технологии солнечных элементов, светодатчиков и тонкопленочных транзисторов. [20]

Обсуждаются электрические свойства пленок гидрогенизированных аморфных кремнийгерманиевых сплавов ( a - Si, - х ( ех Н) в связи с их применением в технологии солнечных элементов, светодатчиков и тонкопленочных транзисторов. [21]

В настоящее время существуют три типа тонкопленочных полупроводниковых приборов: тонкопленочные полевые транзисторы с изолированным затвором ( ТПТ), транзисторы на горячих электронах и полупроводниковые транзисторы и диоды с р-п переходом. Тонкопленочные транзисторы изготавливаются последовательным осаждением различных материалов с применением металлических масок. [22]

Достижения твердотельной электроники на аморфных полупроводниках описаны в гл. Показаны возможности аморфного кремния в технологии тонкопленочных транзисторов и интегральных схем, снабженных для вывода информации экраном на жидких кристаллах. Обсуждены физические аспекты создания на аморфном кремнии эффективного барьера Шоттки. [23]

Принципиальная схема ключа сегмента ЖКИ. [24]

Когда на вход дешифратора поступает сигнал высокого уровня, транзисторы VT1 и VT2 открываются и формирователь работает как двойной инвертор, передавая инвертированный сигнал на элемент ЖКИ. В схемах формирователей сегментов насчитывается 35 тонкопленочных транзисторов и 14 резисторов. Всего на один разряд 7-сегментного ЖКИ приходится 150 транзисторов и 38 резисторов. [25]

Тонкопленочный транзистор. а - структура. 6 - энергетические диаграммы. [26]

Получение тонкопленочных активных элементов позволяет получить полную тонкопленочную схему. За последнее время были разработаны различные типы тонкопленочных транзисторов ( биполярные, полевые, туннельные), но все они не вышли из - стадии лабораторных исследований, так как имеют низкую стабильность и плохо контролируемые свойства. [27]

Достижения твердотельной электроники на аморфных полупроводни ках описаны в гл. Показаны возможности аморфного кремния в тех нологии тонкопленочных транзисторов и интегральных схем, снабжен ных для вывода информации экраном на жидких кристаллах. [28]

Зависимость радиационных повреждений в элементах РЭА от интегрального потока протонов. [29]

Так, пленарные транзисторы более стойки к радиации, чем транзисторы с мезаструктурой, тонкопленочные транзисторы на 2 - 3 порядка более стойки, чем монокристаллические транзисторы. [30]

Страницы: 1 2 3