Тонкопленочный транзистор
Cтраница 3
Все расширяющимся перспективам применения аморфного, поликристаллического кремния посвящена гл. Наблюдаемые характеристики транзисторов на основе аморфного кремния качественно объясняются теорией, которая рассматривает непрерывное распределение состояний в запрещенной зоне аморфного кремния. Показано, что тонкопленочные транзисторы на основе как аморфного, так и поликристаллического кремния могут с успехом использоваться в плоскопанельных дисплеях большой площади. [31]
В схеме двоично-десятичного дешифратора нагрузкой является сегмент индикатора. Схема с активной нагрузкой обеспечивает стабильность уровней 1 и О при больших изменениях параметров отдельных транзисторов. Для построения дешифратора требуется 55 тонкопленочных транзисторов. [32]
Первые два из названных методов дают возможность хранить полутоновую информацию, в то время как последние не обеспечивают воспроизведение полутонов. Наиболее обнадеживающие результаты были получены с тонкопленочными транзисторами. [34]
В настоящее время высокого уровня развития достигли тонкопленочные ЭЛИ переменного тока. Они работают в широком температурном диапазоне и имеют высокую светоотдачу. Для управления ЭЛИ широко используются активные матрицы из тонкопленочных транзисторов. [35]
Как уже отмечалось, весьма эффективным путем устранения кросс-эффекта является введение дополнительных нелинейных элементов. По одной из схем [45] ( рис. 6.8, г) последовательно с жидкокристаллическим элементом во внешней цепи включается диод, который при соответствующем выборе режима в сочетании с жидкокристаллическим элементом позволяет получить электрооптическую характеристику, более близкую к идеальной. По другой схеме [46] ( рис. 6.8, д) жидкокристаллический элемент управляется тонкопленочным транзистором, расположенным непосредственно внутри матрицы; работа этой матрицы, а также матрицы с нелинейным сегне-тоэлектрическим элементом будет описана ниже. [36]
Степень воздействия на элементы РЭА определяется видом радиации и условиями воздействия. Наиболее сильно подвержены воздействию искусственной радиации элементы РЭА, использующие органические и полупроводниковые материалы. Воздействие радиации также зависит от технологии изготовления элементов РЭА. Так, пла-нарные транзисторы более стойки к радиации, чем транзисторы с меза-структурой, а тонкопленочные транзисторы на 2 - 3 порядка более стойки, чем монокристаллические. [37]
 |
Тонкопленочный транзистор. [38] |
Активные элементы, работающие совместно с тонкопленочнымн схемами, изготавливают подобными методами. Среди транзисторов чаще других применяют полевые. Один из таких транзисторов представлен на рис. 2 - 81: на подложку напылена полупроводниковая-пленка ( CdS или CdSe), затем два металлических электрода - исток и сток. Область между этими электродами покрыта слоем диэлектрика ( SiO), на который осажден слой металла, образующий затвор. Изменение напряжения затвора вызывает изменение напряженности электрического поля в слое полупроводника, а значит, и тока в цепи исток - сток. Однако свойства тонкопленочных транзисторов хуже, чем у обычных, и поэтому последние часто используют в гибридных интегральных микросхемах. [39]
Заключительный этап изготовления жидкокристаллических индикаторов состоит в нанесении поляризатора на внешнюю сторону каждой стеклянной пластины. Пленки поляризатора представляют собой композитные пленки, содержащие чувствительный к давлению адгезивный слой для приклеивания поляризатора к стеклу. Они наносятся с помощью автоматов, которые распределяют материал из рулонов или предварительно нарезанных листов. Автоматы представляют собой модификации маркировочных установок, применяющихся в других отраслях. Пленка поляризатора наклеивается на обе стороны индикатора, В некоторых случаях перед поляризатором наносится компенсационная пленка, т.е. полимерная пленка ( например, из поликарбоната и полиметилметакрилата), растягивающаяся в одном направлении. Растяжение изменяет оптические свойства пленки. Готовый индикатор обычно имеет интегральные схемы драйвера на одной из стеклянных подложек или около нее, как правило, на стороне тонкопленочного транзистора. [40]
Страницы: 1 2 3