Параллельно включенный транзистор
Cтраница 1
Параллельно включенные транзисторы или диоды необходимо располагать на одном и том же теплоотводе, приняв меры к максимально возможному выравниванию температуры корпусов отдельных приборов. [2]
Число параллельно включенных транзисторов, рассмотренное в примерах, не следует понимать в буквальном смысле слова: важно не число транзисторов, а площадь переходов и габаритное сопротивление упп SnnRi. Весьма вероятно, что данную площадь переходов наиболее рационально получать параллельным соединением большого числа маломощных транзисторов. [3]
При расчетах параллельно включенные транзисторы ( параметры которых отмечены знаком штрих) целесообразно заменить одним транзистором с эквивалентными параметрами. [4]
При большом количестве параллельно включенных транзисторов пробой некоторых из них приводит к выгоранию активной части транзисторов, которое происходит настолько быстро, что не нарушает работоспособности усилителя. В результате остаются включенными лишь те транзисторы, которые вполне пригодны для параллельного соединения, обеспечивая надежную работу каскада. Процесс естественного отбора эффективен лишь при условии, когда номинальный ток нагрузки достаточен для быстрого выгорания любого из параллельно включенных транзисторов. [5]
В двухтактных схемах с параллельно включенными транзисторами необходимо, чтобы результирующие входные сопротивления групп транзисторов обоих плеч были приблизительно одинаковы. [6]
Схема И-НЕ на КОМП-транзисторах имеет параллельно включенные транзисторы р-типа и последовательно включенные транзисторы и-типа. [7]
 |
Базовые элементы НСТЛ на р - МДП-траизисторе. [8] |
Логический элемент состоит из трех параллельно включенных транзисторов, на затворы которых подают входные сигналы, и одного транзистора, выполняющего роль нагрузки. Затвор этого транзистора подключают или к стоку, как в данном случае, или к отдельному источнику напряжения смещения. Благодаря этому транзистор постоянно открыт и выполняет функции резистора. В большинстве случаев используют МДП-транзисторы с каналом р типа. Поэтому на затвор и сток таких транзисторов следует подавать отрицательное напряжение. Для микросхем на р - МДП-транзистррах принята отрицательная логика. Таким образом, рассматриваемый логический элемент выполняет операцию ИЛИ - НЕ. [9]
Для равномерного распределения токов между параллельно включенными транзисторами в их эмиттерные цепи включают сопротивления. Величина сопротивлений определяется так, как показано в гл. [10]
Для равномерного распределения токов между параллельно включенными транзисторами в их эмиттерные цепи включают резисторы, величины сопротивлений которых определяются так, как показано в гл. [11]
Для равномерного распределения тока между параллельно включенными транзисторами в эмйттерные или базовые цепи их могут включаться уравнивающие сопротивления. Эти транзисторы рекомендуется располагать на общем радиаторе с целью выравнивания их теплового режима. Для электрической изоляции их применяются изолирующие прокладки из капрона, слюды, анодированного алюминия, приклейка эпоксидными компаундами или установка на электроизоляционную теплопроводящую пасту. [12]
Пусковой ток двигателя обеспечивается девятью параллельно включенными транзисторами типа П209 - П210А с предельным использованием их по току, однако это нерационально ввиду увеличения Ррассн и уменьшения В. Сравнительным расчетом устанавливаем, что при двенадцати параллельно включенных транзисторах Красен уменьшается почти вдвое, при этом / к мак. Согласно [5] определяем Rt 0 1 ом. [13]
В отличие от него, здесь параллельно включенные транзисторы Т1 и Т2 образуют логическую схему. [14]
С учетом неравномерного деления токов между параллельно включенными транзисторами принимаем NT 8 ( по 4 шт. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5