Параллельно включенный транзистор

Cтраница 3

Логический элемент ИЛИ-НЕ ( DWU) ( рис 3.21, а) состоит из трех параллельно включенных транзисторов VT1, VT2 и VT3, на затворы которых подают входные сигналы соответственно Хъ Х2 и Хъ и транзистора VT4, затвор которого подключен к источнику - Е0, благодаря чему транзистор VT4 постоянно открыт. Он выполняет функции резистора. [31]

В случае параллельного включения транзисторов аналогичный эффект получается, если плюс источника вХ2 подключить к эмиттеру одного из параллельно включенных транзисторов до симметрирующего сопротивления. При этом исключается влияние изменения падения напряжения на симметрирующих сопротивлениях и на участке база - эммитер мощных транзисторов. [32]

Графики, иллюстрирующие выбор теплоотводов. [33]

Кривые, построенные по этим формулам, удобно использовать при выборе мощности, рассеиваемой на транзисторе, и числа параллельно включенных транзисторов при заданной мощности. [34]

Обычно регулирующий элемент представляет собой каскадное соединение транзисторов ( ЯЯЬ ПП2, ПП3), называемое составным транзистором, причем ПП может состоять из нескольких параллельно включенных транзисторов. В этом случае удобно при расчетах заменять все транзисторы, входящие в составной, одним эквивалентным. Применение составного регулирующего транзистора позволяет существенно улучшить параметры стабилизатора и согласовать мощный регулирующий транзистор с маломощным транзистором УПТ. В составном транзисторе используются обычно резисторы смещения ( Rlt R2 на рис. III.3), задающие необходимую рабочую точку транзисторов ЯЯ2, ЯЯ3 в режиме малых токов нагрузки и при повышенных температурах. [35]

При параллельном включении транзисторов для выравнивания токов в эмиттеры Та, Тц включают резисторы Re - Величина Rs ( 0 5 - f - - т - 1) пар / / к и макс, где ftnap - число параллельно включенных транзисторов. В качестве RQ необходимо использовать точные резисторы с допуском не более 2 %, например резисторы типа 1ПТМК или типа У ЛИ. [36]

На рис. 10.7, г приведена схема ЛЭ на МДП-транзисторах с индуцированным р-каналом, реализующая логическую функцию ИЛИ - НЕ. На затворы параллельно включенных транзисторов VT1 - VT3 подают входные сигналы отрицательной полярности. Транзистор VT4 выполняет роль нагрузочного сопротивления, и поэтому его затвор подключен к стоку, что обеспечивает его открытое состояние. На рис. 10.7 Э приведена схема ЛЭ на МДП-транзисторах, реализующая функцию И - НЕ. [37]

На рис. 10.7, г приведена схема ЛЭ на МДП-транзисторах с индуцированным р-каналом, реализующая логическую функцию ИЛИ - НЕ. На затворы параллельно включенных транзисторов VT1 - VT3 подают входные сигналы отрицательной полярности. Транзистор VT4 выполняет роль нагрузочного сопротивления, и поэтому его затвор подключен к стоку, что обеспечивает его открытое состояние. На рис. 10.7, д приведена схема ЛЭ на МДП-транзисторах, реализующая функцию И - НЕ. [38]

Способы соединения регулирующих транзисторов. [39]

При больших токах нагрузки регулирующий элемент стабилизатора состоит из нескольких параллельно соединенных транзисторов. Для равномерного распределения нагрузки между параллельно включенными транзисторами в цетга эмиттеров их включают балластные резисторы Кб ( рис. 9.8 а), падение напряжения на которых составляет 0 5 - 1 В. Выравнивание нагрузки между транзисторами происходит следующим образом. [40]

Структурная схема ВИП. [41]

Часть выходного напряжения сравнивается с опорным ( эталонным) напряжением Г / оп, а полученная разность этих напряжений усиливается усилителем обратной связи и подается на регулирующий элемент, представляющий собой управляемое сопротивление. Обычно в качестве регулирующего элемента используют параллельно включенные транзисторы. Если выходное напряжение понизится под влиянием тех или иных дестабилизирующих факторов, то регулирующие транзисторы открываются и компенсируют понижение выходного напряжения. При повышении напряжения на выходе регулирующие транзисторы закрываются и тем самым восстанавливают с определенной точностью требуемое значение выходного напряжения. [42]

В действительности значение выходного сопротивления транзистора в области насыщения является сложной функцией как тока базы, так и тока коллектора. Кроме того, при изменении числа параллельно включенных транзисторов изменяются не только токи их электродов, но и коэффициенты усиления по току. Проведенные эксперименты с кремниевыми пленарными транзисторами показали, что у некоторых типов мощных транзисторов выходное сопротивление в области насыщения мало зависит от тока базы и поэтому имеется возможность реализовать оптимальную или близкую к оптимальной интегральную конструкцию и уменьшить поверхность теплоотвода в 4 - 5 раз по сравнению с поверхностью, необходимой для одного транзистора. [43]

Симметрирование параллельно включенных транзисторов с помощью эмиттерных резисторов. [44]

Крутизна транзистора и коэффициент усиления каскада с отрицательной обратной связью уменьшаются в у - 1 мин э 1 6 - 0 54 раза и, следовательно, минимальное значение крутизны SOCMHH составит 1 5 а / в. При работе в режиме класса В параллельно включенных транзисторов разброс выходных мощностей обусловлен не только различием крутизн транзисторов, но и разницей их напряжений отпи рания. Поскольку включением эмит-терного резистора в каскаде создается отрицательная обратная связь, TQ она пропорционально уменьшает и действие этого дестабилизирующего фактора. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5