Параллельно включенный транзистор
Cтраница 2
 |
Микросборки гибридные МГСТ - 2 - 10 - 4 0 до 10 А, 400 В ( а и МГСТ - 2 - 32 - 1 2 до 32 А, 120 В ( б. [16] |
Особые трудности представляет процесс токораспределския при запирании параллельно включенных транзисторов. В этом случае транзистор, который закрывается последним, оказывается нагруженным практически полным током коммутации при полном напряжении питания. [17]
 |
Микросборки гибридные МГСТ - 2 - 10 - 4 0 до 10 А, 400 В ( а и МГСТ - 2 - 32 - 1 2 до 32 А, 120 В ( б. [18] |
Особые трудности представляет процесс токораспределения при запирании параллельно включенных транзисторов. В этом случае транзистор, который закрывается последним, оказывается нагруженным практически полным током коммутации при полном напряжении питания. [19]
 |
Микросборки гибридные МГСТ - 2 - 10 - 4 0 до 10 А, 400 В ( а и МГСТ - 2 - 32 - 1 2 до 32 А, 120 В ( б. [20] |
Особые трудности представляет процесс токораспределсния при запирании параллельно включенных транзисторов. В этом случае транзистор, который закрывается последним, оказывается нагруженным практически полным током коммутации при полном напряжении питания. [21]
Тегер [5] применительно к стабилизатору напряжения с параллельно включенным транзистором. [22]
 |
Тепловая эквивалентная схема транзистора. [23] |
Подобное нарушение внутренней устойчивости в системе из двух параллельно включенных транзисторов объясняется наличием отрицательного температурного коэффициента напряжения эмиттерного перехода и отсутствием тепловой связи между транзисторами. [24]
Для повышения надежности работы преобразователя в коллекторные или в эмйттерные цепи каждого из параллельно включенных транзисторов в определенных случаях включаются быстродействующие предохранители. При выходе из строя одного или нескольких транзисторов в разных плечах схемы преобразователь напряжения остается работоспособным, а выбранный запас по току коллектора обеспечивает надежную работу оставшихся исправных транзисторов. [25]
Практически в производственных условиях для уравнения токов ( симметрирования) в эмиттерные цепи всех параллельно включенных транзисторов включают одинаковые резисторы. [26]
 |
Электрические схемы силовых ключей. а - с одним силовым транзистором. б к в - с составным транзистором. [27] |
С увеличением мощности двигателей построение схемы ключей может оставаться неизменным, увеличивается лишь число параллельно включенных транзисторов и их мощность. При э ом, как уже отмечалось, для обеспечения необходимого входного тока выходная мощность датчика должна увеличиваться. Естественно, что в более мощные двигатели нужно встраивать более мощные датчики положения. [28]
С увеличением мощности двигателей построение схемы ключей может оставаться неизменным, увеличивается лишь число параллельно включенных транзисторов и их мощность. При этом, как уже отмечалось, для обеспечения необходимого входного тока выходная мощность датчика должна увеличиваться. Естественно, что в более мощные двигатели нужно встраивать более мощные датчики положения. [29]
 |
Базовые элементы НСТЛ. а - ИЛИ-НЕ ( DWU. б - И-НЕ ( DXU. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5