Кремниевый транзистор
Cтраница 1
 |
Температурный дрейф тока и напряжения в точках срабатывания ( а и отпускания ( б в случае кремниевых транзисторов. [1] |
Кремниевые транзисторы не имеют существенных преимуществ перед германиевыми в отношении величины температурного дрейфа, поскольку главной причиной дрейфа являются не тепловые токи, а нестабильность коэффициентов передачи тока и напряжений на переходах. [2]
Кремниевые транзисторы имеют малые обратные токи переходов. [3]
Кремниевые транзисторы с учетом разброса параметров и температурных изменений обладают большим запасом по запиранию по сравнению с германиевыми транзисторами. Поэтому непосредственная связь обычно применяется между ключами, выполненными на кремниевых транзисторах. [4]
Кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми имеют меньший коэффициент шума и обладают лучшими температурными свойствами. [5]
Кремниевые транзисторы в своей массе обладают худшими электрическими характеристиками, чем германиевые, а потому их применение оправдано лишь в случае работы при особенно высокой температуре ( выше 70 С) или при необходимости иметь особенно малые начальные токи. [6]
Кремниевые транзисторы получают аналогичные обозначения, только буква Г заменяется буквой К. [7]
Кремниевые транзисторы имеют чаще всего эпитаксиально-планарную ( см. рис. 4.4) или пленарную структуру п-р-п-тппа. Планар-ные транзисторы создают в подложке л-типа без эпитакси-ального слоя. [8]
Кремниевые транзисторы, выпускаемые в основном типа п - р - п, не рассматриваются в настоящей работе главным образом потому, что они представляют собой просто частные случаи общего класса схем, анализируемых подробно на примере германиевых транзисторов. [9]
Кремниевые транзисторы имеют, как правило, более низкий коэффициент усиления по току, чем германиевые. Минимальное напряжение на переходе при данной величине тока также обычно выше у кремниевых транзистров. Принимая во внимание, что существенное различие между двумя типами транзисторов заключается лишь в величинах параметров и учитывая, что кремниевые приборы главным образом п - р - га-типа, а германиевые р - п - р-типа, кремниевые транзисторы не рассматриваются подробно, но методы анализа, разработанные для схем на германиевых транзисторах, применимы в основном и для кремниевых. [10]
Кремниевые транзисторы, имеющие по сравнению с германиевыми значительно меньшую подвижность носителей, обладают худшими высокочастотными свойствами. [11]
Кремниевые транзисторы не имеют существенных преимуществ перед германиевыми в отношении величины температурного дрейфа, поскольку главной причиной дрейфа являются не тепловые токи, а нестабильность коэффициентов передачи тока и напряжений на переходах. [12]
Кремниевый транзистор П-302 соединен по схеме с общим эмиттером ( рис. 10.15, а) и служит для усиления мощности. [13]
Кремниевые транзисторы р-п - р МП114, МП115, МП116 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами ( рис. 57), массой 1 7 г, с диапазоном рабочих температур от - 55 до 100 С. [14]
Кремниевый транзистор П-302 соединен по схеме с общим эмиттером ( рис. 10.15, а) и служит для усиления мощности. [15]
Страницы: 1 2 3 4