Кремниевый транзистор

Cтраница 3

Статические характеристики транзистора при включении по схеме с общим эмиттером. [31]

У кремниевых транзисторов при температуре до 100 С главную роль играет ток термогенерации / о, а не тепловой ток / ко; температура удвоения тока / о составляет около 10 С. [32]

Для кремниевых транзисторов 1г может быть меньше 1 мка при температурах, достигающих 125 С. Температурный дрейф напряжения Fx может быть существенно снижен применением двух транзисторов, как показано на схеме фиг. Значения координат подобранных кремниевых транзисторов остаются в пределах 0 2мв и 0 2 мка в очень широком температурном диапазоне. [33]

Зависимости остаточного напряжения кремниевых транзисторов первой группы от напряжения модуляции при различных температурах окружающей среды. [34]

Для кремниевых транзисторов первой группы эта формула дает хорошее качественное и близкое количественное совпадение с экспериментом по следующим двум показателям: во-первых, отпирание транзистора происходит при напряжении модуляции порядка 0 4 - 0 45 в ( для германиевых при 0 1 в), во-вторых, с ростом температуры окружающей среды отпирание транзистора происходит при меньших напряжениях модуляции. Минимальное значение гэ к для кремниевых транзисторов при комнатной температуре составляет примерно 20 - 30 ом. Это обстоятельство обусловливает малую эффективность применения кремниевых транзисторов для преобразования постоянного напряжения непосредственно от низкоомных источников сигнала. Германиевые транзисторы описываются формулой ( 6 - 20) с более высокой степенью точности. [35]

В кремниевых транзисторах зависимость коэффициента передачи тока эмиттера от тока эмиттера выражена сильнее, чем в германиевых транзисторах. Объясняется это большей шириной запрещенной зоны кремния по сравнению с шириной запрещенной зоны германия. [36]

В кремниевом транзисторе падение напряжения между базой и эмиттером порядка 700 мВ; температурный коэффициент этого напряжения равен примерно - 2 м 3 / С. Изменение УВЕ эквивалентно изменению напряжения входного сигнала. VBE, значительно превосходящее некоторые сигналы низкого уровня. Однако в схеме дифференциального усилителя влияние изменений УВЕ ограничивается различием в УВЕ двух транзисторов входного каскада. [37]

Формы входного % и выходных UBUXI UBUXJ сигналов элемента типа ЭСЛ. [38]

В кремниевых транзисторах падение напряжения на переходе база-эмиттер примерно равно ( 0 7 0 8) В. [39]

Эквивалентная схема для анализа температуркой нестабильности рабочей точки транзистора. [40]

В кремниевых транзисторах вследствие малости / ко температурное смещение напряжения базы является основной и практически единственной причиной, вызывающей смещение рабочей точки. [41]

В кремниевых транзисторах ( где / ко О) сопротивление транзистора ( как это уже отмечено выше) бесконечно велико. [42]

Так как кремниевые транзисторы имеют малые абсолютные приращения Д / КО) то при малых Ня R r основной источник дрейфа нуля в УПТ, построенных на кремниевых транзисторах, представляет изменение С / 3п от температуры. [43]

Здесь необходим кремниевый транзистор, рассчитанный на напряжение питания 60 0 В. [44]

В случае кремниевых транзисторов такие затруднения не возникают. [45]

Страницы: 1 2 3 4