Кремниевый транзистор

Cтраница 2

Мощные плоскостные диоды Д302 - Д305. [16]

Плоскостные кремниевые транзисторы МШИ-МП113 ( рис. 40 6) применяют для усиления электрических сигналов высокой частоты. [17]

Выбираем кремниевый транзистор по допустимому напряжению между эмиттером и коллектором Г / к. Для выполнения условий возбуждения в области низких частот необходимо, чтобы он имел хорошие усилительные свойства. [18]

Статические характеристики транзистора при включении по схеме. [19]

У кремниевых транзисторов ( а также у германиевых при не высоких температурах) нполне допустимо пренебречь током / К0, что сильно упрощает расчеты. [20]

Зависимость статических параметров транзистора от температуры. [21]

У кремниевых транзисторов при температуре до 100 С главную роль играет не тепловой ток / к0, а ток термогенерации / Q, температура удвоения которого составляет около 10 С. [22]

Для кремниевых транзисторов точка Б находится на диффузионной ветви характеристики туннельного диода ( Б, рис. 4), а ток / э 0; вследствие этого такая комбинация не имеет смысла. При построении комбинированной схемы на несочетающихся туннельных диодах и транзисторах для обеспечения нормального положения точки Б целесообразно применять смещение линии нагрузки за счет дополнительного постороннего источника. Однако это усложнение схемы должно быть оправдано необходимостью и учитываться при проектировании рассматриваемых схем. [23]

Схема эмиттерной температурной стабилизации. [24]

Для кремниевых транзисторов ток возрастает с увеличением температуры быстрее, чем для германиевых. [25]

Влияние температуры ва. коэффициент усиления транзистора.| Влияние температуры на сопротивление коллекторного перехода. [26]

Для кремниевых транзисторов а определяется током эмиттера. [27]

Для кремниевых транзисторов нестабильность л & паУ3ы вызвана теми же факторами, однако она соизмерима с нестабиль-ностью длительности импульса. [28]

Отличие кремниевого транзистора с управляющим р-п-переходом от арсенид-галлиевого транзистора с управляющим переходом металл - полупроводник в основном количественное. [29]

Использование кремниевых транзисторов для создания высокостабильяых модуляторов встречает известные трудности ввиду низкой стабильности величины остаточного напряжения при изменении температуры и во времени. [30]

Страницы: 1 2 3 4