Германиевый кремниевый транзистор
Cтраница 1
 |
Схема измерения обратного тока коллекторного перехода.| Схема измерения начального тока коллектора.| Схема приближенного определения коэффициента усиления транзистора по току р. [1] |
Германиевые и кремниевые транзисторы имеют много свойств, общих со свойствами соответствующих диодов, и к ним относятся опи-саннйе выше рекомендации. Соответствие транзистора проекту проверяется путем сопоставления его паспортных данных с величинами, предусмотренными в рабочей схеме. В первую очередь контролируются следующие максимальные величины: ток коллектора / ктах, допустимое обратное напряжение к этах ( мощность на коллекторе Рк тах, коэффициент усиления а 1 кЛ б и падение напряжения Л7К э от прямого тока при полном открытии. [2]
Промышленность выпускает германиевые и кремниевые транзисторы, предназначенные для работы в схемах генераторов высокой и низкой частоты, усилителей высокой и низкой частоты, для работы в различных импульсных схемах, схемах переключения и преобразования мощности. [3]
Промышленность выпускает германиевые и кремниевые транзисторы, предназначенные для работы в качестве генераторов высокой и низкой частоты, усилителей высокой и низкой частоты, для работы в различных импульсных схемах, схемах переключения и преобразования мощности. [4]
В ГИМС применяют бескорпусные германиевые и кремниевые транзисторы, которые по своим параметрам и характеристикам практически не отличаются от обычных. ГИМС выполняют в два приема. Сначала на диэлектрической пластине методом пленочной технологии создают пассивные элементы и все соединения между элементами. Затем к полученной конструкции крепят бескорпусные активные элементы. [5]
По применяемому материалу различают германиевые и кремниевые транзисторы, а по технологии изготовления - сплавные, выращенные, диффузионные, эпитак-сиальные и планарные. В производстве дискретных транзисторов обычно применяется эпитаксиально-планар-ная и мезопланарная технологии, а в производстве транзисторов интегральных микросхем - эпитаксиально-планарная. [6]
Таким требованиям могут удовлетворять германиевые и кремниевые транзисторы. Однако кремниевые транзисторы могут отпираться лишь при сравнительно высоком напряжении тока сигнала, получить которое в малогабаритных часовых механизмах калибра до 40 мм не удается. Поэтому в малогабаритных часах применяют германиевые транзисторы, а в более крупных, например морских хронометрах диаметром 100 мм - кремниевые. [7]
Незначительную радиационную стойкость имеют германиевые и кремниевые транзисторы. [8]
Существует много различных типов германиевых и кремниевых транзисторов. На практике в настоящее время основным типом транзистора, особенно для переключательных элементов, является плоскостной транзистор. [9]
По исходному полупроводниковому материалу различают германиевые, кремниевые транзисторы и транзисторы из арсенида галлия. [10]
В связи с разработками новых конструкций мощных германиевых и кремниевых транзисторов приобретает большое значение расчет теплового сопротивления этих приборов, так как вопрос отвода тепла тесно связан со стабильностью параметров и надежностью приборов. [11]
 |
Диаграмма состояния германий - индий. [12] |
Электродные материалы, используемые для изготовления сплавных германиевых и кремниевых транзисторов, образуют как правило, с этими полупроводниками диаграммы состояния двух типов: диаграмму состояния с постепенным увеличением растворимости полупроводника в жидком электродном материале и диаграмму эвтектического типа. [13]
В связи с разработками новых конструкций мощных германиевых и кремниевых транзисторов приобретает большое значение расчет теплового сопротивления этих приборов, так как вопрос отвода тепла тесно связан со стабильностью параметров и надежностью приборов. [14]
Знание максимальной рабочей температуры позволяет сделать выбор между германиевыми и кремниевыми транзисторами. При температурах ниже соответствующих значений критической температуры ГКбо величины дрейфов для германиевых и кремниевых транзисторов сравнимы. Как видно из рис. 8 - 12, у кремниевых транзисторов наблюдается тенденция в сторону меньшего приведенного входного дрейфа тока по сравнению с германиевыми транзисторами. График на рис. 8 - 11 показывает, что величина приведенного входного дрейфа напряжения по существу одинакова для обоих типов транзисторов. Типичные значения температуры ГКбо для германиевых сплавных транзисторов приведены на рис. 8 - 13; величины Гкбо для кремниевых транзисторов, рассматриваемых в этой главе, превышают 100 С. [15]
Страницы: 1 2 3