Германиевый кремниевый транзистор

Cтраница 3

Из выражения (3.4) также следует, что обратный ток коллекторного перехода / к g0 не участвует в усилении сигнала и по существу является неуправляемым. Типовые величины бо для германиевых и кремниевых транзисторов различаются на два-три порядка и составляют соответственно для маломощных приборов 1 - 2 мкА и 0 001 - 0 01 мкА, а для мощных - 5 - 20 мАи 0 1 - 2 мА при нормальных условиях. [31]

Значения АО и k различны для различных транзисторов одного ( типа, а также для различных типов. Значения АО ( мка) для германиевых и кремниевых транзисторов приведены ниже. [32]

Знание максимальной рабочей температуры позволяет сделать выбор между германиевыми и кремниевыми транзисторами. При температурах ниже соответствующих значений критической температуры ГКбо величины дрейфов для германиевых и кремниевых транзисторов сравнимы. Как видно из рис. 8 - 12, у кремниевых транзисторов наблюдается тенденция в сторону меньшего приведенного входного дрейфа тока по сравнению с германиевыми транзисторами. График на рис. 8 - 11 показывает, что величина приведенного входного дрейфа напряжения по существу одинакова для обоих типов транзисторов. Типичные значения температуры ГКбо для германиевых сплавных транзисторов приведены на рис. 8 - 13; величины Гкбо для кремниевых транзисторов, рассматриваемых в этой главе, превышают 100 С. [33]

Проектирование начинается с выбора транзисторов. Обычно в триггерах применяются маломощные ( с мощностью рассеивания Ямакс0 3 вт) германиевые и кремниевые транзисторы. Германиевые транзисторы обладают лучшими ключевыми свойствами, чем кремниевые, и поэтому при одинаковой рассеиваемой мощности они допускают работу с большими коллекторными токами. Триггеры на германиевых транзисторах в этом случае имеют меньшие выходные сопротивления, чем на кремниевых. При равных предельно допустимых напряжениях германиевые транзисторы обеспечивают получение несколько большей амплитуды выходных импульсов. [34]

При / э 0 зависимость / к y ( f / K6) представляет собой обычную характеристику отдельного р-л-перехода. При отрицательном напряжении на коллекторе в его цепи протекает небольшой по значению обратный ток, составляющий при нормальной температуре для германиевых и кремниевых транзисторов доли микроампер. При положительных напряжениях на коллекторе ток изменяет направление на прямое и резко растет - открывается коллекторный переход. [35]

Транзистор - это полупроводниковый ( германиевый, кремниевый или реже из арсенида галлия и фосфида индия) прибор с двумя р-я-переходами, имеющий три электрода. У транзистора крайние области обладают одинаковым типом проводимости. Промышленность выпускает германиевые и кремниевые транзисторы. Кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми могут работать при более высоких рабочих напряжениях, имеют лучшие температурные характеристики. [36]

К расчету положения рабочей точки биполярного транзистора. [37]

Достоинством схемы с фиксированным током базы являются ее простота и малое потребление энергии от источника питания Ек. Изменение температуры окружающей среды по-разному влияет на ВАХ германиевых и кремниевых транзисторов. [38]

Схема для снятия вольт-амперных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ.| Входные ( а и выходные ( 6 вольт амперные характеристики транзистора, включенного но схеме с ОБ. [39]

При / э 0 зависимость / к Д ( / кб) представляет собой обычную характеристику отдельного р-п перехода. При отрицательном напряжении на коллекторе в его цепи протекает небольшой по величине обратный ток, составляющий при нормальной температуре для германиевых и кремниевых транзисторов доли микроампер. При положительных напряжениях на коллекторе ток изменяет направление на прямое и резко растет - открывается коллекторный переход. [40]

В § 2 - 3 было показано, что с повышением температуры входная характеристика транзистора сдвигается в сторону больших токов. Это означает, что при фиксированной разности напряжений С / эб с увеличением температуры возрастает ток эмиттера ( и коллектора), а следовательно, изменяется режим работы транзистора. Смещение входной характеристики принято оценивать изменениями напряжения на эмиттерном переходе в зависимости от температуры, при / э const. При инженерных расчетах температурный коэффициент напряжения эмиттер - база для германиевых и кремниевых транзисторов принимается равным - 2 мв / град. В справочниках обычно приводятся характеристики транзисторов, снятые при 20 С. [41]

Страницы: 1 2 3