Германиевый кремниевый транзистор

Cтраница 2

Схема устройства германиевого транзистора. [16]

Что касается материала, то в настоящее время практически применяются только германиевые и кремниевые транзисторы. [17]

На рис. 14.10 приведены типовые зависимости коэффициентов усиления по току германиевых и кремниевых транзисторов от температуры окружающей среды и тока коллектора. Характеристики других транзисторов аналогичны приведенным на рис. 14.10. При расчете импульсных и логических схем следует иметь в виду, что в режиме, близком к насыщению, коэффициент усиления по току уменьшается примерно на 20 - 30 % по сравнению с номинальными значениями, указываемыми в справочной литературе. [18]

На рис. 6.6 приведены кривые, построенные по условиям (6.16) и (6.18) для германиевых и кремниевых транзисторов. [19]

С помощью этих кривых могут быть построены семейства вольтамперных характеристик при тепловом пробое для любых германиевых и кремниевых транзисторов в диапазоне температур корпуса или окружающей среды. [20]

Для работы в выходных каскадах УНЧ радиовещательных приемников, высококачественных магнитофонов, радиол, телевизоров разработаны германиевые и кремниевые транзисторы разного типа проводимости. Они обладают слабой зависимостью усиления от тока и высоким значением частоты / Л21э, что позволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне звуковых частот. [21]

Относительное изменение коэффициента передачи тока базы ( В в зависимости от дозы нейтронов. [22]

На рис. 8.7 показано изменение коэффициента В транзисторов в зависимости от дозы нейтронов для разных классов германиевых и кремниевых транзисторов с близкими частотными свойствами. [23]

Из формул видно, что влияние иб2 тем меньше, чем больше U on - При использовании германиевых и кремниевых транзисторов Ц02 примерно равно 0 2 и 0 6 в соответственно. Если выбрать f / 0n 50 в, то влияние дрейфа Ыбг существенно уменьшится. [24]

Приводятся некоторые особенности конструирования транзисторных параметрических умножителей частоты ( ТПУ); показано, что серийно выпускаемые пленарные и сплавно-диффузионные германиевые и кремниевые транзисторы могут быть использованы для ТПУ с достаточно высокими показателями. Приведены результаты исследования ТПУ на маломощных транзисторах типа ГТ311 в диапазоне частот 0 5 - 1 3 Ггц. Описана установка, с помощью которой измерялись показатели транзисторов в умножительном режиме. Сравниваются показатели умножителей при включении транзисторов с общей базой и общим эмиттером. [25]

В качестве примера зависимости Рш от тока, температуры и сопротивления генератора на рис. 11 приводятся усредненные кривые для германиевых и кремниевых транзисторов. [26]

Эквивалентные схемы для анализа статических СОСТОЯНИЙ. [27]

Для того чтобы транзистор был надежно заперт, необходимо на его базе иметь положительное относительно эмиттера напряжение f / 63, при котором в базу втекает ток, близкий к величине / ко. Практически для маломощных германиевых и кремниевых транзисторов это напряжение составляет 0 1 - 0 3 в. Запирающее напряжение должно сохраняться при изменениях параметров схемы и напряжений питания в пределах допусков. [28]

Расчет мультивибратора начинается с выбора транзисторов. В мультивибраторах могут применяться германиевые и кремниевые транзисторы. [29]

В полосовых усилителях используются германиевые и кремниевые транзисторы. [30]

Страницы: 1 2 3