Поверхностно-барьерный транзистор
Cтраница 1
Поверхностно-барьерный транзистор - транзистор, изготовленный электрохимическим, методом, суть которого состоит в следующем. [1]
Поверхностно-барьерный транзистор - транзистор, изготовленный электрохимическим методом, суть которого состоит в следующем. [2]
Поверхностно-барьерный транзистор представляет собой высокочастотный прибор, в котором повышение рабочих частот достигается уменьшением толщины базы и площади коллекторного перехода. Изготовляется поверхностно-барьерный триод следующим образом. Тонкая пластинка германия л-типа с высоким содержанием донорных примесей, необходимых для получения малых величин г6, подвергается электрохимическому травлению струйками электролита. [3]
Конструкция поверхностно-барьерного транзистора представлена на рис. 29, в. Полупроводниковая пластинка этого транзистора имеет углубления с обеих сторон, вытравленные электрохимическим способом. В эти углубления наносится тонкий слой металла, который образует электроды прибора. [4]
На поверхностно-барьерных транзисторах фирмы Филко эта группа схем может работать на частоте 5 Мгц. Емкостная нагрузка имеет здесь большую величину, чем в схемах с непосредственной связью, так как перепады напряжения составляют 3 в, поэтому большая мощность затрачивается на перезарядку паразитных емкостей. [5]
Поверхностно-сплавной транзистор является видоизменением поверхностно-барьерного транзистора, описанного выше. В этих двух транзисторах соответствующий металл ( алюминий) сначала напыляется в протравленные лунки, а затем вплавляется в исходный полупроводниковый кристалл я-типа. [6]
Схема будет рассчитываться для поверхностно-барьерных транзисторов типа 2N240 фирмы Филко, данные которых приведены на фиг. [7]
Этот тип транзистора представляет собой герметически запаянный поверхностно-барьерный транзистор, предназначенный для работы в схемах вычислительных машин. Прибор обладает управляемыми характеристиками насыщения и низким сопротивлением насыщения. Малое время переключения позволяет применять его в переключающих схемах при частоте импульсов, превышающей 20 Мгц. Характеристики переключения такого транзистора контролируются известными величинами ( 3 на высокой частоте и временем накопления дырок. Гибкие выводы могут быть непосредственно сварены или впаяны в схему, обеспечивая надежность соединения. [8]
В схемах с непосредственной связью могут применяться поверхностно-барьерные транзисторы любого типа или сплавные плоскостные транзисторы, у которых напряжение перехода коллектор - эмиттер в области насыщения может быть настолько снижено, что, если подать его в цепь база - эмиттер управляемого транзистора, он закроется. [9]
 |
Схематическое обозначение транзисторов.| Основные схемы усиления на транзисторах п-р - п, а - с общей базой. б - с общим эмиттером. [10] |
Удачнее решается задача усиления сверхвысоких частот в транзисторах диффузионного типа и в поверхностно-барьерных транзисторах. Не останавливаясь на особенностях их устройства, скажем только, что различными способами в тех и других достигается толщина области базы лишь в несколько микронов, а также малые емкости переходов. [11]
 |
Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [12] |
К диффузионным транзисторам относятся приборы, изготовляемые методом выращивания и методом сплап-ления, а также поверхностно-барьерные транзисторы. Дрейфовые транзисторы с неравномерным содержанием примеси вдоль базы чаще всего изготавливаются методом диффузии примесей из жидкой или газообразной среды и поэтому иногда называются диффузионными, хотя по принципу действия являются дрейфовыми. [13]
 |
Рекомендуемая замена транзисторов устаревших типов. [14] |
Для переключающих схем с непосредственной связью, применяемых для построения некоторых типов цифровых вычислительных устройств, наиболее подходящими считаются поверхностно-барьерные транзисторы. [15]
Страницы: 1 2 3