Поверхностно-барьерный транзистор

Cтраница 3

Векторная диаграмма токов ( а и эквивалентная схема транзистора с общим эмиттером ( б на высоких частотах. [31]

Способом диффузии изготовляются так называемые дрейфовые транзисторы, в базе которых примеси распределены неравномерно. При этом в базе создается электрическое поле - носители заряда перемещаются не только за счет диффузии, но также за счет дрейфа - перемещения в этом поле, и скорость пролета базы зарядами возрастает. В поверхностно-барьерных транзисторах электронно-дырочные переходы ( потенциальные барьеры) создаются вблизи поверхности, в лунках, вытравленных по обе стороны тонкой пластинки германия. При этом толщина базы получается порядка 2 5 - 5 мк, а граничная частота /, составляет 70 - 100 Мгц. [32]

Страницы: 1 2 3