Поверхностно-барьерный транзистор

Cтраница 2

Линия задержки с распределенными параметрами.| Триггерная схема на электронных лампах.| Триггерная схема на полупроводниковых триодах. [16]

Полупроводниковые триоды могут быть также использованы для получения статических триггерных схем, причем эти схемы составляются аналогично триггерным схемам с электронными лампами либо в форме встречного соединения плоскостных или поверхностно-барьерных транзисторов с заземленным эмиттером. Если транзистор А находится в одном состоянии ( например, в состоянии насыщения), потенциал коллектора всего на несколько милливольт ниже потенциала земли, транзистор В будет иметь малый ток базы и коллектора и может рассматриваться как отключенный. В другом устойчивом состоянии схемы В - включен, А - выключен. Изменение состояния схемы может осуществляться присоединением базы одного транзистора к земле. [17]

Конструкция этого типа транзистора аналогична конструкции сплавного транзистора за исключением того, что лунки вытравливаются в пластинке до того, как добавляются эмиттерные и коллекторные шарики; кроме того, поверхностно-барьерный транзистор имеет меньшие размеры, чем сплавной транзистор. [18]

Конструкция сплавного транзистора.| Конструкция поверхностно-барьерного транзистора.| Конструкция диффузионно-сплавного транзистора. [19]

Механизм образования р-п переходов у таких транзисторов и у точечных сходен. Поверхностно-барьерные транзисторы получают на частоты до 60 - 80 Мгц. [20]

Переключающая схема с заземленным эмиттером. [21]

Были разработаны даже новые типы транзисторов специально для схем вычислительных машин. Поверхностно-барьерный транзистор позволяет создавать особенно простые конфигурации вентилей. [22]

При нцип устройства поверхностно-барьерного транзистора. [23]

Принцип их устройства показан схематически на рис. 6.35. В тонкой пластинке л-германия, от которой делается вывод базы, путем электрохимического травления делают углубления. Поверхностно-барьерные транзисторы имеют малые емкости переходов, небольшую допустимую мощность, рассеиваемую на приборе, и низкий уровень шумов. Для транзисторов П404 предельная частота генерирования равна 20Мгц, а для П405 - 30 Мгц. Транзисторы П404 и П405 оформлены в металло-стеклянном герметичном корпусе с гибкими выводами. [24]

Поверхности о-б арьерные транзисторы, в которых переходы образуются путем электролитического осаждения металла примеси на предварительно протравленных лунках в пластинке исходного полупроводника. Особенностью поверхностно-барьерных транзисторов является малая мощность, рассеиваемая коллектором, и низкая электрическая прочность. [25]

К описанным выше двум процессам добавляется процесс диффузии ( см. ниже), в результате которого в тонкой вытравленной части германия образуется еще более тонкая база. По сравнению с поверхностно-барьерными транзисторами, частотный предел МАДТ возрастает в 10 раз. [26]

В маломощных переключающих ( импульсных) схемах при невысоких требованиях к быстродействию могут применяться транзисторы любых типов, удовлетворяющие требованиям схемы к минимальному значению коэффициента усиления по току. В быстродействующих переключающих схемах хорошо работают высокочастотные сплавные и поверхностно-барьерные транзисторы, а в отсутствие больших импульсов обратного напряжения на эмитерном переходе - и диффузионные. [27]

Их недостатками являются малые допустимые мощности ( до 10 - 15 мет) и низкая электрическая прочность. Случайный кратковременный импульс большого тока или напряжения моментально выводит поверхностно-барьерный транзистор из строя. [28]

Электроосаждение может оказаться перспективным методом при получении эпитаксиальных полупроводниковых пленок, используемых для создания полупроводниковых приборов. Электроосаждением индия на л-гер-маний пользуются при изготовлении так называемых поверхностно-барьерных транзисторов и в других целях. [29]

Электроосаждение может оказаться перспективным методом при получении эпитаксиальных полупроводниковых пленок, используемых для создания полупроводниковых приборов. Электроосаждением индия на n - германий пользуются при изготовлении так называемых поверхностно-барьерных транзисторов и в других целях. [30]

Страницы: 1 2 3