Высокочастотный транзистор
Cтраница 2
 |
Электроды мощных транзисторов. [16] |
У высокочастотных транзисторов исходная пластина обычно служит коллектором, который и кредится к держателю. [17]
 |
Низкочастотная Т - образная эквивалентная схема с генератором тока.| Высокочастотная Т - образная эквивалентная схема. [18] |
У высокочастотных транзисторов емкость Ск обычно не превышает 10 пф. [19]
 |
Схема замещения транзистора на высокой частоте ( а и частотная зависимость коэффициента передачи тока базы ( б. [20] |
Для высокочастотных транзисторов эта проводимость настолько мала, что ее можно не учитывать. [21]
У маломощных высокочастотных транзисторов ( рис. 30, б) вывод коллектора имеет с корпусом электрический контакт, так как коллектор монтируется на стальном или медном основании корпуса. [22]
К высокочастотному транзистору предъявляются требования в отношении толщины базы. [23]
Может ли высокочастотный транзистор работать в усилителях низкой частоты. [24]
Так как высокочастотные транзисторы изготовляются в настоящее время с диффузионной базой, распределение примесей в базовой области у них не будет равномерным. Способ увеличения устойчивости к вторичному пробою мощных высокочастотных транзисторов был найден в результате изучения распределения токов между отдельными транзисторами при их параллельном включении ( см. например. [25]
В принципе высокочастотные транзисторы могут работать и как усилители, и как генераторы; однако, транзистор, хороший как усилитель мощности, не обязательно будет хорош для генератора и, наоборот. [26]
При использовании высокочастотных транзисторов с малым временем рассасывания избыточного заряда ( tplO - 50 не) данная схема позволяет получить симметричные импульсы тока коллектора и напряжения на обмотках, при этом / Кт - ( 1 2 - 1 5) /, что выгодно отличает последнюю от рассмотренных ранее. [27]
В случае высокочастотного транзистора может оказаться, что второе слагаемое в формуле (3.35) превышает первое и только его следует принимать в расчет. Кроме того, значение длительности фронта ( спада) коллекторного тока часто оказывается пренебрежимо малым и при определении длительности фронта ( спада) выходного напряжения из-за влияния емкости С2 ( рис. 3.23) перепады коллекторного тока можно считать идеальными. [28]
 |
Зависимости времени включения и рассеиваемой в транзисторе мощности от соотношения между постоянными времени транзистора и диода. [29] |
При применении высокочастотных транзисторов с низкочастотными диодами наблюдается резкое увеличение относительной длительности процесса переключения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5