Высокочастотный транзистор
Cтраница 3
Некоторые корпуса высокочастотных транзисторов имеют четыре вывода. Четвертый вывод соединяют с корпусом транзистора. [31]
Внутренние выводы высокочастотных транзисторов и диодов необходимо рассматривать как тонкие стержни, нагруженные собственным весом. [32]
 |
Концентрация примесей в дрейфовом транзисторе ( а и б и его энергетическая диаграмма ( в. [33] |
В производстве высокочастотных транзисторов используются другие технологические приемы, среди которых наибольшее применение находят сплавно-диффузионная и пленарная технология. [34]
 |
Конструкция высокочастотных германиевых диффузионных триодов П402 и П403.| Электронно-дырочный переход триода П402 - П403, полученный методом диффузии и вплавления примеси. [35] |
К конструкциям высокочастотных транзисторов предъ-вляются специальные требования. [36]
 |
Концентрация примесей в дрейфовом транзисторе ( а и б и его энергетическая диаграмма ( в. [37] |
В производстве высокочастотных транзисторов используются другие технологические приемы, среди которых наибольшее применение находят сплавно-диффузионная и пленарная технология. [38]
Иногда у высокочастотных транзисторов основание делается из диэлектрика с целью уменьшения емкостей между выводами транзистора. [39]
 |
Схема и временнйе диаграммы работы транзисторного. [40] |
При использовании высокочастотных транзисторов длительность фронта может составлять десятки наносекунд. [41]
При создании высокочастотных транзисторов приходится учитывать эти противоречивые требования к геометрическим размерам и свойствам исходного материала. [42]
 |
Высокочастотный транзистор. [43] |
Для изготовления высокочастотных транзисторов этот способ, однако, непригоден, так как промышленные классические методы плавления не позволяют получить толщину базы меньше, чем 10 мк. [44]
 |
Схема ключа с малым временем переключения. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5