Высокочастотный транзистор

Cтраница 4

С помощью высокочастотных транзисторов удается получить время переключения порядка 0 1 мк / сек. Так как транзисторная техника развивается весьма интенсивно, то можно рассчитывать на то, что в дальнейшем удастся как увеличить значения переключаемых токов, так и расширить частотный диапазон ключей. [46]

В случае высокочастотных транзисторов эта энергия сравнительно мала. Если амплитуда поданного на базу сигнала значительно превышает величину, необходимую для закрытия или открытия транзистора, то энергия, необходимая для зарядки емкости обедненного слоя ( база - эмиттер база - коллектор), легко может превысить энергию, необходимую для зарядки диффузионной емкости. К сожалению, среди характеристик промышленных транзисторов не приводятся значения емкости база - эмиттер для непроводящего состояния транзистора. Можно ожидать, что эта емкость довольно велика. [47]

Семейства зависимостей / т ( / к мощного транзистора, отдающего мощность 30 Вт на частоте 150 МГц, снятые в импульсном ( - - - - - - - - - - и непрерывном ( - - - - - - - - режимах. [48]

При исследовании генераторных высокочастотных транзисторов важно не только выявить область устойчивой ратготы транзистора в статическом режиме-но и получить ответ а вопрос - проявляется ли перераспределение тока при работе в схеме высокочастотного генератора. [49]

Транзистор 2N3375, собранный в корпусе ( со снятым баллоном. [50]

К корпусам маломощных высокочастотных транзисторов предъявляется также требование обеспечения минимальной емкости между выводами. В мощных высокочастотных транзисторах это требование не стоит особенно остро, так как емкости между электродами этих приборов обычно во много раз превосходят емкости между выводами корпуса. [51]

Схема изготовления маломощных. [52]

Для изготовления германиевых высокочастотных транзисторов с граничной частотой передачи тока в несколько сотен мегагерц широко используется метод, представляющий собой определенную комбинацию диффузии и сплавления. Рассмотрим способ изготовления диффузионно-сплавных германиевых транзисторов более подробно. После проведения диффузии сурьмы образуется слой / г-германия толщиной 0 02 мм. Затем производится со-шлифовка или стравливание этого слоя таким образом, чтобы слой / г-германия остался только в риске. [53]

Схемы на высокочастотных транзисторах по рис. 27 обладают рядом достоинств, имеющих существенное значение в радиолюбительской практике: небольшим количеством моточных деталей, некритичностыо к разбросу параметров транзисторов и простотой налаживания. [55]

Выпускаемые отечественной промышленностью высокочастотные транзисторы П403, П410, П414, П420, ГТ308 и др., хорошо работающие в различных генераторных и усилительных схемах, с успехом можно использовать в сверхрегенеративных каскадах. [56]

Схематическое изображение транзистора.| Устройство сплавного транзистора. / эмиттер, 2 коллектор, 3 - база.| Упрощенная схема изготовления транзистора методом диффузии. [57]

В последние годы высокочастотные транзисторы, в том числе и мощные высокочастотные, все чаще изготовляют методом диффузии. [58]

Это позволяет использовать маломощные высокочастотные транзисторы, паразитные параметры и инерционность которых проявляются в меньшей степени, чем у мощных транзисторов. Кроме того, малая мощность автогенератора облегчает тепловой режим транзистора и элементов колебательной системы ( кварцевого резонатора или контура), определяющих стабильность частоты. По этой причине обычно необходим ряд промежуточных усилительных или умножительных каскадов для возбуждения оконечного транзистора передатчика. [59]

Основным методом изготовления высокочастотных транзисторов является диффузия примесей и такие транзисторы поэтому часто называют диффузионными. При диффузии примеси в базе распределяются неравномерно, там создается электрическое поле. Следовательно, по механизму движения носителей диффузионные транзисторы могут относиться к дрейфовым. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5