Мощный высокочастотный транзистор
Cтраница 1
Мощные высокочастотные транзисторы имеют структуру с диффузионной базой и их выходные характеристики в области малых напряжений имеют такой вид, как показано на этих рисунках. Даже если в этих транзисторах оптимальным образом использованы встречная диффузия или эпитаксиальное выращивание, их выходные характеристики могут приблизиться к показанным на рис. 6 - 11 а только на низких частотах. На высоких частотах причины, вызывающие спад коэффициента усиления с ростом тока, проявляют себя более резко. В связи с тем что коэффициент усиления по току на высоких частотах значительно меньше, чем на постоянном токе, сильно возрастает величина базового тока. Эти причины, а также некоторые другие, еще не вполне выясненные обстоятельства приводят к тому, что на высоких частотах модуль коэффициента усиления по току р / падает с ростом тока более резко, а участок напряжений, на котором выходные характеристики не достигли насыщения, может значительно увеличиться. [1]
Мощные высокочастотные транзисторы могут использоваться в импульсном режиме и выходная мощность может быть повышена путем увеличения рабочих напряжений. [2]
Мощные высокочастотные транзисторы, как правило, работают в режиме, близком к предельному. Поэтому даже кратковременное и сравнительно небольшое превышение этого режима нередко приводит к выходу транзистора из строя. [3]
Мощные высокочастотные транзисторы типа П601 - П602 являются также представителями группы дрейфовых транзисторов. [4]
В мощных высокочастотных транзисторах для уменьшения индуктивности эмиттера последний выводится на корпус. Для изоляции коллектора от корпуса кристалл монтируется на основание через керамическую прокладку. Иногда для согласования коэффициентов линейного расширения кристалла полупроводника и материала ножки применяют молибденовые прокладки. [5]
В мощных высокочастотных транзисторах она достигает 100 пф и более. Емкость Сб д учитывает диффузионный характер перемещения носителей в области базы. В емкость Сб э входят также конструктивная и зарядная емкости эмиттерного перехода. Поэтому емкость Ce t называется просто диффузионной емкостью эмиттерного перехода. [6]
К конструкции корпусов мощных высокочастотных транзисторов предъявляются три основных требования. Первое из них является общим для конструкции корпуса любого мощного транзистора, а два других являются специфичными. [8]
 |
Транзистор 2N3375, собранный в корпусе ( со снятым баллоном. [9] |
Изолированный коллектор в мощных высокочастотных транзисторах важно иметь не только с точки зрения удобства монтажа и простоты конструирования шасси и теплоотводов, но и потому, что для приборов с изолированным эмиттером сложно обеспечить безындуктивный монтаж во входной цепи и приборы в такой конструкции практически всегда будут иметь меньшее усиление, чем точно такие приборы с эмиттером, электрически соединенным с корпусом. В мощных высокочастотных транзисторах наружные выводы часто выполняются в виде тонких широких лент, удобных для монтажа в полосковые схемы. [10]
Но велика, изготовление мощных высокочастотных транзисторов станет просто невозможным. В связи с этим при изготовлении этих приборов особенно важно, чтобы в процессе шлифовки была исключена возможность появления таких царапин. [11]
 |
Транзистор 2N3375, собранный в корпусе ( со снятым баллоном. [12] |
Поэтому почти все корпуса мощных высокочастотных транзисторов крепятся к теплоотводу с помощью монтажного винта. [13]
В последние годы интерес к мощным высокочастотным транзисторам и к построению схем на этих приборах резко возрос в связи с достижениями полупроводниковой технологии, позволившей создать транзисторы, отдающие в нагрузку несколько десятков ватт на частотах до нескольких сотен мегагерц. [14]
Вопросов повышения допустимого напряжения в мощных высокочастотных транзисторах мы коснемся в следующей главе, а в настоящем параграфе мы рассмотрим, как в мощных транзисторах обеспечиваются большие рабочие токи и сравнительно малые сопротивления насыщения при условии сохранения малой коллекторной емкости. [15]
Страницы: 1 2 3 4