Cтраница 4
Технологически конверсионные транзисторы напоминают сплав-но-диффузионные. Медь отличается высоким коэффициентом диффузии в германии, благодаря этому при вплавлении эмиттера происходит диффузия меди из германия в эмиттерную навеску. Такой метод позволяет получать тонкие базовые слои большой площади, а следовательно, изготовлять мощные высокочастотные транзисторы. [46]
В § 7 - 1 было сказано, что в мощных высокочастотных транзисторах требуется сочетать высокую граничную частоту и малую емкость коллектора с малым сопротивлением насыщения и большой величиной ЯДОп. Большая допустимая мощность рассеяния может быть обеспечена только при достаточно большой величине максимального рабочего тока или напряжения. Как будет рассмотрено в § 7 - 5, имеются определенные соображения в пользу того, что в мощных высокочастотных транзисторах целесообразно увеличивать рабочий ток, а не напряжение. [47]
Ряд дополнительных требований предъявляется к параметрам тех мощных транзисторов, которые должны работать на высоких частотах. Помимо наиболее очевидного требования - высокой предельной частоты коэффициента усиления по току - от этих приборов требуется, чтобы они имели достаточно малые емкости между электродами. Эти емкости создают нежелательную обратную связь, что приводит к снижению коэффициента усиления по мощности. В мощном высокочастотном транзисторе необходимо уменьшать индуктивность в общем выводе, наличие которой увеличивает входное сопротивление транзистора на высокой частоте, что также снижает коэффициент усиления по мощности. [48]
Современные мощные высокочастотные транзисторы работают на частотах порядка нескольких сотен или даже тысяч мегагерц. Если считать, что в правильно сконструированном приборе рабочая частота может быть сравнима с предельной частотой / т, то и в этом случае, для того чтобы обеспечить работоспособность транзистора, необходимо создавать структуры с толщиной базовой области порядка десятых долей микрона. Транзистор с такой толщиной базы рассчитан на малые мощности. В мощных высокочастотных транзисторах наименьшая достигнутая толщина базовой области имеет, по-видимому, порядок 0 3 мк. Получение транзисторных структур с такими тонкими базовыми слоями представляет собой очень сложную технологическую задачу. В § 3 - 6 и 5 - 3 уже отмечалось, что при необходимости создания очень тонких базовых областей глубина перехода эмиттер - база также должна быть весьма малой. [49]