Мощный высокочастотный транзистор

Cтраница 3

То обстоятельство, что подобными маскирующими свойствами обладает двуокись кремния и не обладает двуокись германия, позволило резко продвинуть технологию изготовления кремниевых диффузионных приборов, в том числе мощных высокочастотных транзисторов, так что в настоящее время приборы этого класса существенно превосходят по своим характеристикам германиевые мощные диффузионные транзисторы. [31]

К корпусам маломощных высокочастотных транзисторов предъявляется также требование обеспечения минимальной емкости между выводами. В мощных высокочастотных транзисторах это требование не стоит особенно остро, так как емкости между электродами этих приборов обычно во много раз превосходят емкости между выводами корпуса. [32]

Изолированный коллектор в мощных высокочастотных транзисторах важно иметь не только с точки зрения удобства монтажа и простоты конструирования шасси и теплоотводов, но и потому, что для приборов с изолированным эмиттером сложно обеспечить безындуктивный монтаж во входной цепи и приборы в такой конструкции практически всегда будут иметь меньшее усиление, чем точно такие приборы с эмиттером, электрически соединенным с корпусом. В мощных высокочастотных транзисторах наружные выводы часто выполняются в виде тонких широких лент, удобных для монтажа в полосковые схемы. [33]

Обладая малой инерционностью по сравнению с транзисторами, лампа позволяет получить более короткий фронт и спад формируемого импульса. Только применение мощных высокочастотных транзисторов позволяет получать фронты и спады примерно такие же, как и в ламповых схемах. [34]

Тепловое сопротивление корпуса РТ3690 равно 8 75 С / вт. Подобную конструкцию имеют корпуса других кремниевых мощных высокочастотных транзисторов, имеющих тепловые сопротивления до 2 С / вт. Описанная конструкция отличается от конструкции приборов 2N3375 тем, что в ней могут быть достигнуты еще меньшие индуктивности эмиттера. [35]

Корпус типа ТО-63. [36]

Корпусом будет соединен эмиттер. Такая конструкция очень удобна для мощных высокочастотных транзисторов. [37]

Так как высокочастотные транзисторы изготовляются в настоящее время с диффузионной базой, распределение примесей в базовой области у них не будет равномерным. Способ увеличения устойчивости к вторичному пробою мощных высокочастотных транзисторов был найден в результате изучения распределения токов между отдельными транзисторами при их параллельном включении ( см. например. [38]

Графики, поясняющие амплитудную модуляцию. в модулирующее колебание низкой частоты, б несущее колебание высокой частоты, в, г и д модулированные колебания при глубине модуляции. [39]

Эти транзисторы являются маломощными. Но в ближайшее время будут выпущены и более мощные высокочастотные транзисторы, предназначенные для передатчиков. [40]

К недостаткам рассматриваемых транзисторов относится также сложность технологии их изготовления. Хотя для их изготовления не требуется столь точной фотолитографической обработки, как для мощных высокочастотных транзисторов, требования к точности механической обработки пластин и к точности проведения термических процессов для транзисторов, изготовляемых с помощью двусторонней диффузии, очень высоки. [41]

Медь отличается высоким коэффициентом диффузии в германии, благодаря этому при вплавлении эмиттера происходит диффузия меди из германия в эмиттерную навеску. Такой метод позволяет получать тонкие базовые слои большой площади, а следовательно, изготовлять мощные высокочастотные транзисторы. [42]

ГЛОи - запирающее напряжение на базе, превышение которого приводит к электрическому пробою базо-змиттернсго перехода транзистора. Механизм пробоя аналогичен описанному ранее. Так как структура базо-эмнт-терного перехода мощных высокочастотных транзисторов отличается от структуры базо-коллекторного перехода, то С / бядоа 1 5 - f - 5 В. [43]

Параметры мощных транзисторов должны удовлетворять ряду требований с тем, чтобы обеспечить достаточно хорошую работу соответствующих схем. Необходимость создания приборов с такой сложной структурой оказывает большое влияние на технологию их изготовления, предъявляя к этой технологии весьма высокие требования. Достаточно сказать, что изготовление новейших типов мощных высокочастотных транзисторов не менее сложная проблема, чем получение самых современных монолитных интегральных схем. [44]

Конфигурации переходов мощных сплавных транзисторов. [45]

Страницы: 1 2 3 4