Винтовая дислокация

Cтраница 1

Схема перемещния атомов при.| Направление перемещения дислокационной петли. [1]

Винтовая дислокация также в зависимости от своего знака может перемещаться в направлении, перпендикулярном вектору сдвига, вправо или влево. Схематически распределение атомов в такой сложной дислокации показано на рис. 13, где АВ, ВС и CD - участки краевой, смешанной и винтовой дислокации. [2]

Рост кристалла, содержащего винтовую дислокацию. [3]

Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до - нескольких тысяч атомов. [4]

Винтовая дислокация образуется в результате скольжения двух атомных полуплоскостей на один период друг относительно друга начиная с некоторой линии. На рис. 112 показаны атомы решетки в плоскостях, претерпевших скольжение друг относительно друга. Пунктиром обозначена линия, разграничивающая полуплоскость, испытавшую скольжение, от полуплоскости без скольжения. Дислокации имеют большое значение для механических свойств твердых тел. [5]

Краевая дислокация.| Винтовая дислокация. [6]

Винтовая дислокация показана на рис. XIII. [7]

Винтовые дислокации облегчают рост кристалла, давая возможность атомам садиться на поверхностную ступеньку. Дислокации влияют на раскалывание кристаллов и другие механические свойства. Наличие дислокаций и взаимодействия между ними объясняет наблюдаемое для некоторых кристаллов явление деформационного упрочения, которое состоит в том, что при увеличении приложенного напряжения пластическая деформация возрастает. [8]

Винтовая дислокация, рассмотренная в § 9.2, и краевая дислокация, построенная в § 10.3 как пример решения некоторой плоской задачи теории упругости путем представления решения через функции комплексной переменной, служат примерами дислокаций, для которых линия дислокации - прямая. Те же результаты могут быть получены и путем применения общих формул § 14.3; это и будет сделано в настоящем параграфе. [9]

Возникновение винтовых дислокаций.| Влияние примесных атомов на кристал - П р и м е СН Ы е а Т О. [10]

Винтовые дислокации также возникают при деформациях, но уже сдвига. На рис. 72 показано возникновение двух дислокаций - правой и левой - при неполном сдвиге одной части кристалла относительно основной его массы. [11]

Винтовая дислокация превращает параллельные кристаллические плоскости кристалла в единую спираль - геликоид ( рис. IV-11), так что рост кристалла, содержащего винтовую дислокацию, связан не с возникновением новых атомных плоскостей, а с продолжением наращивания спирали. [12]

Винтовая дислокация образуется сдвигом заштрихованной ( рис. 24 а) плоскости разреза вдоль образующей на величину вектора Бюргерса Ъ и последующим закреплением смещенных частей, в результате чего в таком цилиндре возникают напряжения, подлежащие определению. [13]

Винтовые дислокации взаимодействуют подобно электрическим зарядам: одноименные дислокации отталкиваются, разноименные притягиваются. [14]

Винтовая дислокация в отличие от краевой не создает зон гидростатического растяжения и сжатия, а поэтому не способна притягивать точечные дефекты. Однако если внедренный атом искажает кристаллическую решетку неодинаково в различных направлениях, то искажения и упругое поле напряжений кристаллической решетки не будут обладать чисто сферической симметрией. Такое поле напряжений точечного дефекта уже может взаимодействовать с касательными напряжениями поля напряжений вокруг винтовой дислокации. Например, атомы углерода в а-железе находятся в октаэдрических пустотах, занимая положение посередине ребер или в центре граней. Атом внедрения в центре грани ( 110) находится на расстоянии 0 5а от двух соседей в направлении [010] и на расстоянии a / V 2 от четырех соседей в других направлениях. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5