Винтовая дислокация

Cтраница 4

Винтовые дислокации играют важную роль в кинетике роста кристаллов. Так, при выращивании кристаллов в условиях малого ( 1 %) пересыщения наблюдаемая скорость роста значительно превышает теоретическую, рассчитанную для идеального кристалла. Известен случай [2], когда такое превышение достигало Ю1300 раз. Такую величину расхождения между теорией и экспериментом следует считать своего рода рекордом, не имеющим себе равных в истории физикохимии. [46]

Краевые дислокации. а - сдвиг, создавший краевую дислокацию. б - пространственная схема краевой дислокации. в г - схемы расположения атомов у дислокации. [47]

Винтовая дислокация ( рис. 1.6), так же как и краевая, образуется при неполном сдвиге кристалла на плоскости Q. В отличие от краевой она располагается параллельно направлению сдвига. При наличии винтовой дислокации кристалл можно рассматривать как состоящий из одной атомной плоскости, закрученной в виде винтовой поверхности. [48]

Схема определения вектора Бюргерса для линейной дислокации. [49]

Винтовая дислокация так же, как и краевая, образована неполным сдвигом кристалла по плоскости Q. В отличие от краевой дислокации винтовая дислокация и вектор сдвига ( т) параллельны. [50]

Винтовая дислокация также способна двигаться, но в направлении, перпендикулярном к ее оси, при наличии проекции на эту ось внешнего касательного напряжения г ( см. рис. В. Две параллельные винтовые дислокации одинаковых знаков ( с одинаково направленными векторами Бюргерса) отталкиваются, а обратных знаков - притягиваются, что напоминает взаимодействие проводников с электрическим током. При слиянии двух дислокаций противоположных знаков искажения кристаллической решетки исчезают и потенциальная энергия кристалла уменьшается, а для слияния винтовых дислокаций одинаковых знаков необходимо произвести работу против сил отталкивания, равную разности энергий объединенной дислокации с модулем вектора Бюргерса 2Ь и двух исходных дислокаций: / i ( 2&) 2 - 2 / ib2 2 / ib2, где / i - модуль сдвига. Аналогичный вывод справедлив и для краевых дислокаций, расположенных в одной плоскости скольжения. [51]

Винтовые дислокации, так же как и краевые, могут быть получены с помощью частичного сдвига ( на рис. 42) по плоскости Q вокруг линии EF. При этом на поверхности образуется ступенька, проходящая не по всей поверхности кристалла, а только от точки Е до края кристалла. [52]

Простейшие виды линейных дефектов. [53]

Винтовые дислокации не обладают полем растягивающих напряжений, притяжение внедренных атомов не имеет места. [54]

Примесь замещения.| Примесь внедрения. [55]

Винтовые дислокации образуются при скольжении, происходящем параллельно линии дислокации. Как видно из рисунка, пунктирная линия искажения в расположении атомов проходит вдоль края разреза параллельно вектору сдвига. Эту линию называют винтовой дислокацией. [56]

Возможное распределение линейных дислокаций в литом сплаве после затвердевания. а - хаотическое. б - упорядоченное. [57]

Винтовые дислокации образуют сетку. [58]

Винтовая дислокация, в отличие от краевой, может переходить из одной плоскости в другую без переноса массы - поперечным скольжением. [59]

Ступенчатые и винтовые дислокации образуются в большом количестве при кристаллизации материалов из расплава, раствора или из газовой фазы. Появлению их благоприятствует неравномерное распределение температур, ведущее к возникновению механических напряжений. В теории роста кристаллов дислокации играют важную роль, так как новые элементы решетки, как правило, располагаются вдоль винтовых дислокаций. Из-за механических деформаций возникает большое число дополнительных дислокаций. Для экспериментального доказательства существования дислокаций нужно тонко отполированную поверхность материала подвергнуть воздействию смеси соответствующих кислот, то есть осторожно протравить ее. В местах возникновения дислокаций кристаллическая структура нарушена и не может оказать такого же сопротивления агрессивной химической среде, как неразрушенная решетка. На поверхности после травления появляются углубления, встречающиеся в основном на линиях дислокации. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5