Винтовая дислокация

Cтраница 3

Линейная дислокация. а - образование. б - структура. [31]

Винтовые дислокации или, как их еще называют, дислокации Бургерса появляются в том случае, когда скольжение происходит в основном параллельно линии дислокации, а не перпендикулярно к ней, как это наблюдается в случае краевой дислокации. [32]

Винтовые дислокации играют важную роль при росте кристаллов. [33]

Схема переползания краевой дислокации. [34]

Винтовая дислокация может переместиться из некоторого фиксированного положения в любое другое посредством скольжения. Произвольное перемещение краевой дислокации нельзя осуществить только путем скольжения - необходимо движение краевой дислокации по нормали к плоскости скольжения. [35]

Винтовая дислокация часто возникает в процессе роста кристаллов из раствора или расплава. Захват атома гладкой плоской кристаллической поверхностью энергетически менее выгоден и поэтому менее вероятен, чем присоединение атома к ступеньке, существующей на поверхности кристалла с винтовой дислокацией. Поэтому кристаллы предпочитают расти со встроенной внутрь винтовой дислокацией. Новые атомы присоединяются к краю ступеньки, вследствие чего рост кристалла происходит по спирали. [36]

Винтовая дислокация имеет ось, относительно которой она может иметь правое или левое вращение. Кристалл, обладающий одной винтовой дислокацией, состоит е из параллельных слоев атомов, а имеет один слой атомов, образующий винт или спираль вокруг оси такой дислокации. [37]

Точечные дефекты в кристаллах. [38]

Винтовые дислокации возникают также при деформациях, но уже сдвига. [39]

Винтовые дислокации играют большую роль при выращивании кристаллов из паров, растворов или расплавов. Ступенька, образующаяся при выходе винтовой дислокации на поверхность кристалла, может непрерывно захватывать осаждающиеся на поверхности растущего кристалла атомы или ионы. Большинство дислокаций в кристаллах представляет собой совокупность краевых и винтовых типов. [40]

Винтовая дислокация, выходящая на грань кристалла металла. [41]

Винтовая дислокация на рис. 17.20 имеет ось, относительно которой спираль может иметь правое или левое вращение. Кристалл, обладающий одной винтовой дислокацией, состоит не из параллельных слоев атомов, а имеет один слой атомов, образующий винт или спираль вокруг оси такой дислокации. [42]

Винтовые дислокации бывают правые и левые, причем направление вращения играет ту же роль, что и знак у краевых дислокаций: две правые или две левые винтовые дислокации взаимно отталкиваются, правая и левая - притягиваются. Таким образом, и винтовая, и краевая дислокации - это границы между сдвинутой и несдвинутой частями кристалла, причем краевая дислокация перпендикулярна вектору сдвига, а винтовая - параллельна ему. В реальном кристалле область сдвига может быть ограничена более сложной, в общем случае криволинейной, границей А С ( рис. 265), или смешанной дислокацией. На рис. 266 показана схема расположения атомов в области смешанной дислокации, причем выделены краевая ( АА) и винтовая ( С С) компоненты. [43]

Винтовая дислокация приводит к образованию ступеньки на грани кристалла. Если рост происходит путем присоединения молекул к краю ступени, легко видеть, что ступенька должна в процессе роста закручиваться в спираль. Спиральные ступени многократно наблюдались на гранях кристаллов, причем высота ступеней составляла от одного до многих межмолекулярных расстояний. Дислокации воздействуют на скорость роста кристаллов. Важно иметь в виду, что поскольку дислокации не могут оканчиваться внутри кристалла, то любая дислокация, пересекающая грань кристалла, будет продолжать выходить на грань до тех пор, пока она не выйдет в процессе роста на боковую поверхность грани. [44]

Винтовые дислокации и спиральный рост кристаллов подробно описаны Бартоном, Кабрерой и Франком ( 32, 331; за последнее десятилетие эти явления изучались многими учеными. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5