Плоскостной триод

Cтраница 1

Плоскостные триоды имеют меньший уровень шумов по сравнению с точечными триодами. После усовершенствования технологии изготовления плоскостных триодов были получены кристаллические триоды с меньшим уровнем шумов на звуковых частотах, чем у электронных ламп с пониженным уровнем шумов. [1]

Генератор с автомодуляцией.| Формы импульсов генератора с автомодуляцией. [2]

Плоскостные триоды наиболее часто используются в качестве активных элементов в схемах четырехполюсных генераторов, генераторов с обратной связью. Точечноконтактный триод, вообще говоря, может быть использован как в схемах генератора с отрицательным сопротивлением, так и в схемах генераторов с обратной связью. Однако в некоторых случаях внешняя обратная связь необходима. Например, в точечноконтактных триодах с коэффициентом усиления - по току, меньшим единицы, должна применяться внешняя обратная связь, чтобы передать часть выходной мощности на вход. С другой стороны, можно показать, что на тех частотах, на которых фазовый сдвиг, связанный с отсечкой а, становится достаточно большим, эмитгерный и коллекторный токи находятся не в фазе и поэтому необходима внешняя фазосдвигающая цепь. [3]

Фазово-амплитудная характеристика фазированного усилителя.| Схема включения плоскостного транзистора типа р-п - р.| Вольт-амперные характеристик плоскостного триода. [4]

Плоскостные триоды выполняются на полупроводниках с попеременно чередующимся типом проводимости и резким переходом от проводимости одного типа к проводимости другого типа. Примером плоскостного транзистора может служить монокристалл германия ( или кремния), в котором две области с однотипной проводимостью разделены средней областью с противоположной проводимостью. [5]

Схема с общей сеткой.| Схема с общим анодом. [6]

Плоскостной триод представляет собой монокристалл полупроводника с несколькими чередующимися областями различной проводимости. Область полупроводника, в которой проводимость в основном обусловлена дырками, называется р-областью. Область полупроводника, в которой проводимость обусловлена главным образом свободными электронами, называется п-областью. В триодах типа п-р - п чередование слоев обратное. На рис. 1.73 показана схема включения полупроводникового триода типа р-п - р, называемая схемой с общей базой. Цепь эмиттера называется входной, а цепь коллектора - выходной. [7]

Плоскостные триоды, как и все полупроводниковые приборы, чувствительны к изменениям температуры. Зависимость параметров кристаллических триодов от температуры - один из главных его недостатков. На протяжении определенного интервала температур коэффициент усиления по току остается почти постоянным, но резко падает при температурах более низких, чем - 60 С, и при температурах, превышающих 80 - 100 С. Причины этих изменений связывают, с одной стороны, с увеличением собственной проводимости р - и - областей триода и, с другой, с изменением состояния рекомбинационных центров. Значение первой из причин подтверждается тем, что для триодов из кремния, имеющего большую ширину запрещенной зоны, влияние нагревания сказывается при более высоких температурах. [8]

Плоскостные триоды устойчиво работают в любой из вышеперечисленных схем, Точечные же триоды в усилительных режимах применяются только включенными по схеме с заземленным основанием, так как в других схемах они работают неустойчиво. [9]

Классификация полупроводниковых триодов. [10]

Плоскостные триоды различаются по следующим признакам. [11]

Плоскостной триод представляет собою два взаимодействующих р - n - перехода, полученных тем или иным способом в одном монокристалле полупроводника. При этом важно, чтобы расстояние, разделяющее переходы, было бы значительно меньше диффузионной длины ( средней линии длины свободного пробега) неосновных носителей для этой области. [12]

Плоскостные триоды, работающие по принципу диффузии, в настоящее время рассматриваются как низкочастотные. Значительное повышение быстродействия тригтерных схем достигается применением высокочастотных дрейфовых триодов. Благодаря неравномерному распределению примесей в базе дрейфового триода, создается диффузионное перераспределение основных носителей заряда и, как следствие, собственное электрическое поле в базовом слое. Для инжектированных носителей, двигающихся от эмиттера к коллектору, это поле является ускоряющим. При достаточном градиенте концентрации примесей в базе и, следовательно, концентрации основных носителей время движения неосновных носителей через базовый слой уменьшается. Вследствие этого при одной и той же ширине базовой области дрейфовый триод по быстродействию значительно лучше диффузионного. [13]

Конструктивно плоскостной триод ( рис. 17 - 12) представляет собой монокристалл германия, в котором за счет вплавления индия создаются три области с резко отличными проводимостями. Диффундируя в германий, индий сообщает поверхностному слою дырочную проводимость, образуя р-и-переход. Кристалл германия, являясь базой, через кристаллодержатель связан с корпусом, к которому припаян контактный вывод. К коллектору и эмиттеру из индия припаивают токосниматели, закрепляемые в стеклянных изоляторах. Токосниматели припаиваются также к контактным выводам. [14]

Хорошие плоскостные триоды в области средних частот имеют меньший уровень шумов, чем электронные лампы. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5