Плоскостной триод

Cтраница 4

Итак, плоскостной триод представляет собой два взаимодействующих р-п перехода, полученных тем или иным способом в одном монокристалле полупроводника. [46]

Например, плоскостной триод вполне удовлетворительно работает в ряде схем при напряжениях питания до 1 - - 2 в и при токах до 10 - нЗО мка. [47]

Следовательно, плоскостные триоды характеризуются гораздо большими коэффициентами усиления по напряжению, чем точечно-контактные. Читатель сможет еще лучше оценить этот факт, если будет знать, что в настоящее время имеются экспериментальные образцы таких плоскостных полупроводниковых триодов, у которых сопротивление г22 достигает 10 мгом. Несомненно, что плоскостные триоды обладают гораздо более высокими коэффициентами усиления по напряжению и мощности, чем точечно-контактные. В настоящее время точечно-контактные транзисторы сохраняют преимущества перед плоскостными триодами главным образом в отношении частотной характеристики и применений в переключающих схемах. [48]

Фототриод представляет собой плоскостной триод, в котором базовая область доступна воздействию света. Кванты света образуют в области базы пары электрон - дырка. Неосновные носители дифундирую к р - п-переходу и выбрасываются в эмиттерную и коллекторную области. Основные неравновесные носители, оставаясь в базовой области, изменяют ее заряд, а следовательно, и потенциал эмиттерного перехода. Таким образом, облучение базовой области светом равносильно приложению управляющего напряжения между эмиттером и базой. Ток в цепи коллектор-эмиттер пропорционален световому потоку. [49]

Эта способность плоскостных триодов работать при очень низких напряжениях питания может быть успешно использована в фиксирующих схемах, подобных той, которая показана на фиг. Если потенциал базы на этой схеме выше потенциала эмиттера, то, поскольку в этом случае коллекторное сопротивление оказывается равным порядка 1 моя, потенциал коллектора повторяет характер волны входного потенциала. С другой стороны, если потенциал базы становится хоть немного ниже потенциала эмиттера и сила тока базы становится равной нескольким миллиамперам, то даже при силе коллекторного тока в несколько миллиампер потенциал коллектора станет равным 10 или 20 мв, а коллекторное сопротивление меньше 10 ом. Такая схема, очевидно, может быть использована в прерывателях, нашедших широкое применение в усилителях постоянного тока. [50]

При использовании плоскостных триодов усиление по мощности получается хорошим, однако значительно меньшим, чем в двухкаскадном усилителе, в котором оба каскада включены по схеме с заземленным эмиттером. [51]

При использовании плоскостных триодов рассматриваемая схема имеет несколько большее входное сопротивление и примерно такое же усиление, как и один каскад с заземленным коллектором. За исключением тех случаев, когда надо согласовывать сопротивления, эта схема не имеет преимуществ. [52]

Сравнить характеристики плоскостного триода, показанные на рис. 2.7 и 2.8, с характеристиками лампового пентода. Рассмотреть общие различия между характеристиками двух приборов; какие видоизменения в конструкции схемы являются существенными при переводе на кристаллические схемы на ламповом пентоде. [53]

Области, составляющие. [54]

Для большинства плоскостных триодов распределенное сопротивление базы примерно лежит в пределах от 40 до 600 ом. [55]

Плоскостной тетрод. [56]

Теория работы плоскостного триода может служить объяснением механизма работы плоскостного тетрода. [57]

Анализ работы плоскостных триодов при большом сигнале проводится теми же самыми методами, что и анализ точечноконтактных триодов. Таким же способом примерь, определяются три отдельные области работы. [58]

Параметр КБ плоскостного триода в активной области быстро уменьшается с увеличением тока базы. Внутреннее сопротивление кристаллического триода при насыщении хотя и мало, однако им нельзя полностью пренебречь. Эти факторы вызывают отклонение приближенной от действительной входной характеристики. [59]

Для герметизации плоскостных триодов раньше применяли пластмассьи. Однако любые пластмассы не являются полностью непроницаемыми. Влага в небольшом количестве, достаточном для образования мономолскулярного слоя на поверхности полупровод пика, постепенно диффундирует через пластмассы, если прибор в течение нескольких недель или месяцев находится в атмосфере с высокой влажностью. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5