Cтраница 3
Для плоскостных триодов с тремя областями а1, так как часть тока эмиттера ответвляется в базу. В других типах триодов коэффициент усиления по току может быть больше единицы. Триод, включенный по схеме с общей базой, при а1 не может работать как усилитель тока, но он может работать как усилитель напряжения и мощности. Поясним это следующими простыми рассуждениями. Пусть в цепь коллектора последовательно с источником питания включено высокоомное нагрузочное сопротивление гн ( одного порядка с величиной Д бк / А / к) и пусть напряжение сигнала ДыЭб, подведенное к цепи эмиттера, изменило ток эмиттера на величину Дгэ. [31]
Для выходных плоскостных триодов определяющее значение имеют следующие параметры: усиление по току, полезная отдаваемая мощность ( при заданной величине сопротивления нагрузки), коэффициент усиления по мощности, наибольшая мощность, рассеиваемая коллектором, и температурный режим работы триода. [32]
Для точечно-контактных и плоскостных триодов эта величина бывает обычно порядка 300 ом. [33]
![]() |
Частотная зависимость окб для типового низкочастотного кристаллического триода. [34] |
Для обычно применяемых типовых плоскостных триодов критическая частота, соответствующая акб, приближенно является верхней границей звукового диапазона. [35]
![]() |
Три основные схемы включения плоскостного триода. [36] |
В плоскостном триоде усиление мощности возможно только в одном направлении через прибор; в этом направлении база должна быть всегда одним из двух входных выводов, а коллектор должен быть всегда одним из двух выходных выводов. [37]
В плоскостном триоде с переходами для канала над областью основания величина d / c может быть порядка 50 или больше; соответственно проводимость канала при F0 - F будет - 10 - 4 мо. Такой порядок величины и был получен и опытах Брауна [18] и Кингстона. В сплавном триоде не будет создаваться заметного канала на основании, однако в каналах на эмиттере и коллекторе отношение ( djc) будет - 500, так что канальная проводимость вполне может оказаться порядка 10 - 3 мо. [38]
В плоскостном триоде можно получить а 1, добавляя в кристалл еще одну область так, как это показано на рис. 585, а. [39]
В плоскостных триодах утечки по поверхности приводят к недопустимо большим значениям нулевого тока коллектора и резко ухудшают управляющую способность эмиттера. [40]
В кристаллическом плоскостном триоде полупроводник ( германий или кремний) обработан так, что его левая и правая области имеют дырочную проводимость ( фиг. Кроме этого типа триода, бывают триоды типа п-р - п, боковые области которых имеют электронную проводимость, а центральная область - дырочную. [41]
В плоскостном триоде типа р - п - р, изображенном на рис. 5 - 10, а, имеются два р - / г-перехода. Переходы обладают потенциальными барьерами, область действия электрического поля которых заштрихована. В этой, очень узкой области движутся под действием электрического поля положительные заряды. [42]
![]() |
Схематический разрез селенового фотоэлемента ( а и кривая его спектральной чувствительности ( б. [43] |
Поэтому хотя плоскостные триоды обладают коэффициентом усиления по току меньшим единицы, усиление по мощности может быть достаточно большим. [44]
Следовательно, плоскостные триоды характеризуются большими коэффициентами усиления напряжения и мощности, чем точечные. [45]