Cтраница 2
Хотя токсичность триорганилборанов, по-видимому, невысока [65], обращаться с ними следует с осторожностью. Трудно представить случайное попадание внутрь ( проглатывание) такого большого количества триорганилборана, тем не менее сами триорганил-бораны или продукты их метаболизма могут представлять серьезную опасность. [16]
Льюисова кислотность триорганилборанов обнаружена очень давно. [17]
Хотя токсичность триорганилборанов, по-видимому, невысока [65], обращаться с ними следует с осторожностью. Трудно представить случайное попадание внутрь ( проглатывание) такого большого количества триорганилборана, тем не менее сами триорганилбораны или продукты их метаболизма могут представлять серьезную опасность. [18]
Льюисова кислотность триорганилборанов обнаружена очень давно. [19]
При действии на триорганилбораны триэтнлалюминия происходит обмен группами между бором и алюминием. Эта реакция используется в препаративных целях только в исключительных случаях. [20]
Одна органическая группа в триорганилборанах легко отщепляется и при действии некоторых других реагентов. [21]
Недавно опубликован обширный список комплексов триорганилборанов [ 48а ]; в книге [ 49а ] обсуждается применимость комплексов органоборанов с аминами как средства оценки стериче-ских напряжений. Поэтому здесь представлен только выборочный материал. [22]
В табл. 14.3.1 приведены некоторые физические константы ряда триорганилборанов. Электроотрицательности бора ( 2 0 по шкале Полинга) и углерода ( 2 5) таковы, что связь В-С в органоборанах поляризована в слабой степени. [23]
Другой метод синтеза вторичных аминов состоит во взаимодействии триорганилборанов и азотсодержащих соединений, имеющих две уходящие группы. [24]
Другой метод синтеза вторичных аминов состоит во взаимо-ействии триорганилборанов и азотсодержащих соединений, име -) щих две уходящие группы. [25]
Некоторые реакции диалкилхлорборанов и алкилдихлорборанов протекают аналогично реакциям триорганилборанов, но в более мягких условиях, поскольку галогениды бора являются более сильными кислотами Льюиса. Более того, если нужно использовать менее трех алкильных групп триалкилборана, то это удобнее осуществить с помощью алкил ( галоген) боранов. [26]
В табл. 14.3.4 приведены величины химических сдвигов ПВ ряда триорганилборанов. [27]
![]() |
Химические сдвиги 6 ( ИВ некоторых, триорганилборанов [ 22а ]. [28] |
Данные табл. 14.3.4 указывают, что химические сдвиги В в случае триорганилборанов, содержащих л-системы, смещены в сторону более сильных полей по сравнению с насыщенными соединениями. Координация бора с основаниями Льюиса приводит к повышению экранирования. В табл. 14.3.5 приведены химические сдвиги 13С и Н для атомов, связанных с бором, в некоторых триорганилборанах. [29]
![]() |
Химические сдвиги 6 ( ИВ. [30] |