Одиночная дислокация
Cтраница 1
Одиночные дислокации и скопления дислокаций в галогенидах серебра могут быть декорированы и обнаружены путем выделения серебра в результате освещения. В табл. 11.5 приведены различные методы декорирования кристаллов. [1]
Помимо движения одиночных дислокаций, полигони-зация включает на стадии формирования субграниц миграцию дислокационных групп и на стадии роста субзерен - миграцию малоугловых дислокационных границ. Детали этих процессов еще мало изучены. Сведений о влиянии степени деформации на процессы полигонизации в литературе недостаточно. [2]
Фигуры травления выявляют выходы одиночных дислокаций на поверхности ( 100) кристалла NaCl ( оптический микроскоп, ув. [3]
 |
Дислокация, движущаяся по пути наименьшего сопротивления через хаотически распределенные препятствия. [4] |
Формен и Мейкин [27] впервые промоделировали движение одиночной дислокации сквозь хаотичную сетку препятствий и определили КСН для ее продвижения без учета термической активации. [5]
 |
Непрерывная рекристаллизация в сплавах. [6] |
Си ( частицы б - фазы нанизаны на одиночные дислокации; отжиг 1 5 ч при 200 С); б - А1 - 3 % Си ( сетки дислокаций расположены между частицами в - фазы. С); в - AI - 5 % Си ( после перехода в - - в частицы 6-фазы нанизаны на границы субзерен; после растворения некоторых частиц субзерна могут расти путем перемещения тройного стыка или поворота субзерна. [7]
 |
Двузаходиая спиральная ступень на грани призмы ( 100 кристалла. [8] |
Конусы роста образуются, как правило, не на одиночных дислокациях, а на скоплениях дислокаций. Если на грани работает одновременно несколько групп дислокаций, то слои, испускаемые наиболее активной группой, могут подавлять работу остальных групп и одиночных дислокаций. Поэтому, хотя плотность дислокаций, как уже указывалось, высока, в стабильных условиях на поверхности грани обычно действует всего несколько центров роста, а иногда и один. Если же изменить пересыщение, то поверхность покрывается множеством - мелких конусов роста. В течение какого-то времени идет отбор, кончающийся тем, что на грани опять остается несколько наиболее активных центров роста, причем это могут быть и новые, но ранее не активные. [9]
Вт / см2 плотность дислокаций достигает 10е см 2 - Наблюдаются одиночные дислокации и сплетения дислокаций, свидетельствующие об их взаимодействии. С ростом плотности мощности излучения до 2 7 НО4 Вт / см2 средняя плотность дислокаций возрастает до 1010 см-2 и более, причем наблюдается образование дислокационных сеток. При дальнейшем повышении плотности мощности до 8 104 Вт / см2 ( уровень, соответствующий плавлению материала) в материале возникает ячеистая дислокационная структура с плотностью дислокаций в границах ячеек до 1011 - 1012 см-2. Подобная структура характерна для сильно деформированных металлов. [10]
При рассмотрении вопроса о текстуре дислокаций необходимо учитывать не только скопления одиночных дислокаций, ориентированных определенным образом, но и появление упорядоченных построений дислокаций - границ ячеек, полигонов. Особенно это относится к сталям, деформированным при высоких температурах, когда происходит формирование полигональной субструктуры. [11]
В коллективе дислокационных структур наблюдается сложное согласованное поведение, которое не присуще одиночным дислокациям. Оно приводит к значительному усилению диссипации подводимой энергии. [12]
В коллективе дислокационных, структур наблюдается сложное согласованной поведение, которое не присуще одиночным дислокациям. Оно приводит к значительному усилению диссипации подводимой энергии. [14]
Вклад в скрытую энергию деформации от дислокаций происходит как за счет энергии, непосредственно связанной с энергией искажения кристаллической решетки от одиночной дислокации, так и за счет энергии взаимодействия дислокаций друг с другом, с конденсированными атмосферами растворенных атомов и других видов взаимодействия. [15]
Страницы: 1 2 3