Одиночная дислокация

Cтраница 2

Электронномикроскопические исследования [186 - 188] старения железа ( суммарное содержание азота и углерода 0 042 % с преобладанием углерода) показали, что, хотя после закалки в фольге встречаются одиночные дислокации, основные изменения при низкотемпературном старении ( 20 - 100 С) происходят в матрице. [16]

Под полигонизацией понимают процесс формирования и укрупнения субзерен при нагреве наклепанных металлов и сплавов. Формирование субзерен реализуется перераспределением одиночных дислокаций и ( или) сплющиванием трехмерных дислокационных скоплений скольжением и переползанием дислокаций с образованием малоугловых, дислокационных субграниц. Укрупнение субзерен реализуется их коалесценцией или миграцией субграниц. [17]

В основном эти расстояния при сколе и последующем окислении очень мало или вообще не соответствуют рисункам травления на каждой из плоскостей. Однако на основании этого нельзя сделать вывода, что одиночные дислокации по осям с, если таковые имеются, не являются инициаторами образования ямок травления. В связи с этим необходимо вспомнить замечание Хенига [33] о том, что с-осевые винтовые дислокации начинаются и оканчиваются, очевидно, на трещинах раскола, поскольку топологически невозможно существование дислокаций, оканчивающихся внутри любого кристалла, в том числе и графита. [18]

Для возможности изучения скорости движения дис Лбйй-ций плотность состаренных дислокаций должна быть меньше 103 - 104 см-2, чтобы они не мешали следить за скоростью передвижения свежих дислокаций, вводимых в кристалл путем нанесения на его поверхность царапин и уколов. Импульсное нагружение вызывает движение или изолированных друг от друга одиночных дислокаций, или отдельных групп. Длина пробега изолированных одиночных или головных дислокаций в отдельных группах зависит от содержания примесей, структуры, сил химической связи, температуры и уровня приложенного напряжения. Различный характер зависимости скорости движения дислокаций от напряжения и температуры в кристаллах с разным типом химической связи и кристаллической решетки приводит автора к заключению, что движение дислокаций обусловлено взаимодействием их с фононами и, возможно, с электронами. [19]

Процесс начинается после перегруппировки дислокаций в малоугловые границы, так как на одиночных дислокациях зарождения частиц второй фазы не происходит. Затем идет образование зародышей у-фазы Не только на границах зерен, но и на стыках возникающих малоугловых границ. По мере увеличения числа таких дополнительных мест зарождения их распределение в объеме постепенно становится случайным. [20]

Малая эффективность ВТМО при направлениях максимальных касательных напряжений под углом в 45 к продольной осп образца может свидетельствовать о слабом упрочнении металла в этих зонах ввиду отсутствия сдвиговой деформации при упрочняющем кручении. В этих зонах и отмечается максимальное упрочнение в связи с тем, что дислокационные построения и одиночные дислокации, наследованные мартенситом, будут оказывать сопротивление скольжению при испытании. [21]

Общая схема ( с и детальная схема роста от трех зародышей шестиугольной формы ( б возникновения маяоугловьпс границ при образовании на периферии фронта кристаллизации трех двумерных зародышей. [22]

Из описанного механизма образования малоугловых границ также ясно, что идеальная малоугловая граница, состоящая из одной стенки дислокаций, должна быть сравнительно редким явлением. Более часто место стыка состоит из совокупности одной, двух или нескольких разных по протяженности малоугловых границ и близко расположенных к ним одиночных дислокаций. [23]

Двузаходиая спиральная ступень на грани призмы ( 100 кристалла. [24]

Конусы роста образуются, как правило, не на одиночных дислокациях, а на скоплениях дислокаций. Если на грани работает одновременно несколько групп дислокаций, то слои, испускаемые наиболее активной группой, могут подавлять работу остальных групп и одиночных дислокаций. Поэтому, хотя плотность дислокаций, как уже указывалось, высока, в стабильных условиях на поверхности грани обычно действует всего несколько центров роста, а иногда и один. Если же изменить пересыщение, то поверхность покрывается множеством - мелких конусов роста. В течение какого-то времени идет отбор, кончающийся тем, что на грани опять остается несколько наиболее активных центров роста, причем это могут быть и новые, но ранее не активные. [25]

Первая стадия - развитие интенсивных полос скольжения ( полос Чернова-Людерса) - сдвигового образования на поверхности металла, состоящего из ряда следующих одна за другой задержанных дислокаций, когда касательные напряжения релакеированы до нуля. Одиночные дислокации движутся легче всего вдоль полос скольжения. Если скольжение протекает в одном ряде плоскостей, то полоса скольжения - прямолинейная. При скольжении по нескольким рядам плоскостей, расположенных под углом друг к другу, полоса скольжения - волнистая. [26]

В соответствии с разделением условий кристаллизации на высокотемпературные и низкотемпературные Гиваргизов [6] считает, что в этих двух областях различны как механизмы роста, так и структура и совершенство слоев. В частности, в низкотемпературной области образуются преимущественно одиночные дислокации или их скопления, а в высокотемпературной тетраэдры дефектов упаковки. [27]

Углерод как примесь внедрения силь - io тормозит все дислокации. Но поскольку он воздействует непосредственно на тодвижность одиночной дислокации, вся диаграмма деформации а ( е) тоднимается вместе с пределом текучести, не меняясь в остальном - : ечение неустойчиво по-прежнему, и только напряжение скола аск достигается раньше - углеродистый мартенсит хрупкий. [28]

Причем пленка с подвижностью, совпадающей с величиной для объемного РЬТе, была получена ( при наибольшей температуре этого интервала. Как отмечалось в разд. В [135] предполагается, что рассеяние на одиночных дислокациях, поверхностная плотность которых при низких температурах конденсаций достигал а 11011 см 2, ответственно в основном за снижение подвижности: в пленках р - РЬТе на слюде. Об этом говорит рост подвижности при повышении температуры подложки до 250 С ( рис. 2.19), сопровождающийся уменьшением плотности дислокаций ( см. разд. При увеличении температуры подложки свыше 250 С ( см. рис. 2.19) в [135] наблюдался спад подвижности - зоок, связанный с появлением микротрещин, которые образовались при охлаждении пленки после напыления. В пользу этого предположения свидетельствовало пропорциональное снижение подвижностей м77ки 1 % юк ( см - Рис - 2.19) при темпер ату pax подложки1, превышающих 250 С. [29]

Причем пленка с подвижностью, совпадающей с величиной для объемного РЬТе, была получена ( при наибольшей температуре этого интервала. Как отмечалось в разд. В [135] предполагается, что рассеяние на одиночных дислокациях, поверхностная плотность которых при низких температурах конденсаций дости-гала Ю11 см 2, ответственно в основном за снижение подвижности в пленках р - РЬТе на слюде. Об этом говорит рост подвижности при повышении температуры подложки до 250 С ( рис. 2.19), сопровождающийся уменьшением плотности дислокаций ( см. разд. При увеличении температуры подложки свыше 250 С ( см. рис. 2.19) в [135] наблюдался спад подвижности - зоок. [30]

Страницы: 1 2 3