Одиночная дислокация

Cтраница 3

Монокристалл сапфира, изогнутый при 1800 С и отожженный при 2000 С в течение 10 мин. Фотография в проходящем поляризованном свете ( Крон-берг. [31]

Наиболее медленно будет происходить полигонизация в слабо деформированном металле, у которого энергия дефектов упаковки мала и, следовательно, высока энергия образования ступенек; в этом случае придется затратить энергию как на образование ступенек и вакансий, так и на перемещение последних. Алюминий полигонизуется легко, а медь полигонизуется с трудом из-за того, что энергия дефектов упаковки алюминия высока, а у меди низка. Надо только иметь в виду, что при полигониза-ции, кроме переползания, имеет место еще поперечное скольжение, а при образовании субграниц движутся не только одиночные дислокации, но и дислокационные группы. [32]

Следовательно, деформирование кристалла не может быть в отличие от отжига спонтанным ( процессом. При отжиге температуру повышают только для ускорения процесса. Из-за сложности оценки ш трудно провести количественный расчет равновесия для процессов деформационного отжига. Составлены оценки упругой энергии вокруг одиночной дислокации, поверхностной энергии границ зерен [2], но весьма нелегко рассчитать энергетику сложной системы несовершенств в деформированном поликристаллическом материале. [33]

Теперь уже нет сомнений в том, что физика пластичности, основанная на представлении о формировании свойств с помощью простого суммирования в рамках концепции доминантного представительства их отдельными дислокациями, не выдерживает критики. За исключением очень ранних стадий пластического течения в монокристаллах, дислокации находятся в столь сильном взаимодействии, что следует говорить лишь об их коллективном поведении. В этом случае реакция системы дислокаций на внешние воздействия определяется не столько индивидуальными свойствами дефекта, сколько солигонными свойствами ансамбля в целом, часто весьма нетриви альными. Здесь происходит та же ситуация, что и у одиночных дислокаций, когда свойства их не сводятся к свойствам атомов, хотя дислокацию и можно представить как специальный солитон, отображающий коллективное поведение атомов решетки. [34]

Многочисленные неполные плоскости или экстраплоскости не проходят через все сечение кристалла. Возле края экстраплоскости расположение атомов искажено. Эта искаженная область тянется вдоль всего края и называется краевой дислокацией. Длина одиночной дислокации может достигать нескольких тысяч межатомных расстояний или периодов решетки. [35]

Страницы: 1 2 3