Оптическое возбуждение

Cтраница 1

Оптическое возбуждение для нас представляет интерес в том случае, если в результате его приобретается тенденция к спонтанному переносу протона. [1]

Оптическое возбуждение полупроводника для получения инверсной населенности наиболее целесообразно производить с помощью вспомогательного OKJ, так как обычные источники света имеют очень широкий спектр излучения. Энергия кванта hv ОКГ должна быть больше ширины запрещенной зоны. Недостаток этого метода светового возбуждения по сравнению с оптической накачкой в обычных ОКГ состоит в том, что существует значительное поглощение падающего света в полупроводнике. Практически возбуждение происходит в тонком слое вблизи поверхности. Поэтому трудно получить большие мощности. [2]

Оптическое возбуждение генерации, так же как и люминесценции, связано с однофотонным или двухфотонным поглощением внешнего излучения в активной среде. При однофотон-ном возбуждении энергия квантов внешнего излучения Йсов должна быть больше ширины запрещенной зоны. Двухфотонное возбуждение позволяет создать инверсную населенность на большей глубине от поверхности образца, так как коэффициент двухфотонного поглощения обычно невелик. Поэтому возбуждающий свет можно направлять как перпендикулярно, так и параллельно оси резонатора. [3]

Термин оптическое возбуждение означает переход атомов или молекул в определенное квантовое состояние в результате селективного поглощения узкополосного излучения. В то время как в атомной спектроскопии методы оптического возбуждения успешно используются уже много лет, их применение для молекул наталкивается на большие сложности. Причина этого заключается в большой сложности молекулярных спектров и недостатке подходящих источников для достаточно интенсивного, но селективного возбуждения. [4]

Схема возможных оптических переходов электрона в запрещенной зоне.| Прямые / и непрямые 2 оптические межзонные переходы. [5]

Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то наблюдается собственная фотопроводимость, которую создают носители обоих знаков. [6]

Энергетическая схема уровне. атомоь гелия и неона. [7]

Метод оптического возбуждения в газах может быть применен лишь при использовании высококачественных монохроматических источников света, имеющих линии излучения, совпадающие с линиями поглощения газа. [8]

С оптическим возбуждением длинноволновых интенсивных полос поглощения часто связан перенос заряда между элек-тронодонорной ( Д) и электроноакцепторной ( А) группами, что может привести к значительному изменению дипольного момента как по величине, так и по направлению при возбуждении. [9]

При оптическом возбуждении электроны и дырки могут создаваться в зоне проводимости и валентной зоне, соответственно. Возвращаясь к равновесию, некоторые электроны на нейтральных донорах будут рекомбинировать излучательно с дырками на ней тральных акцепторах. [10]

При сильном оптическом возбуждении стоксова компонента рассеяного света и акустическая волна могут экспоненциально усиливаться посредством параметрического процесса. [11]

Схема антистоксового испускания. [12]

Важным случаем оптического возбуждения является возбуждение одного определенного уровня энергии Ет атома газа из основного состояния Е путем поглощения фотона hv Em-E. Если атом возвращается в основное состояние, испуская фотон hv той же частоты v, что и поглощенный фотон, то такое испускание называется резонансным. [13]

Характеристические энергетические соотношения между валентной зоной и зоной проводимости диэлектрика и электронными энергетическими уровнями донора и акцептора ( обозначения те же, что на. Пунктирные кривые ЩЕ представляют распределение энергии поляризации вблизи оптически возбужденных уровней в наинизших колебательных состояниях. Энергия возбуждения равна hv. Примечательно, что первоначально инертные состояния донора и акцептора могут стать инжектирующими при оптическом возбуждении. оптически возбужденный акцептор в состоянии инжектировать дырки, а оптически возбужденный донор - электроны ( Виллиг, частное со-обшение. [14]

Рассмотрим случай оптического возбуждения электрода. Если электрод металлический, то фотоэмиссия электронов из металла в кристалл может быть осуществлена таким же образом, как и фотоэмиссия в вакуум, однако с той разницей, что на это требуется значительно более низкая энергия. Изменение в энергетических соотношениях на контакте при поглощении света проиллюстрировано на рис. 2.5.22 для обобщенного донорного или акцепторного состояния, примером которого может служить редоксная пара в водном растворе. В случае донора D неинжектирующий контакт становится инжектором электронов, а в случае акцептора создается контакт, инжектирующий дырки. Lkj - константы скоростей всех остальных процессов, которые могут опустошить возбужденное состояние, например константа скорости флуоресценции. [15]

Страницы: 1 2 3 4