Оптическое возбуждение

Cтраница 2

Зависимость населенностей уровней и коэффициента поглощения от плотности возбуждающей стационарной радиации. [16]

Особенностью процесса оптического возбуждения двухуровневой системы является невозможность перевести в возбужденное состояние более половины частиц и, следовательно, невозможность создать инверсную заселенность уровней. Этот результат непосредственно связан с наличием вынужденного испускания. [17]

В противоположность оптическому возбуждению в фотопроводниках оптический мазер действует на основе индуцированного испускания и реагирует не только на поток фотонов от окружающей среды, но и на нулевые колебания электромагнитного поля. [18]

Поскольку при оптическом возбуждении молекул органических соединений осуществляются переходы я-электронов между занятыми и свободными уровнями, такие же, как и при термическом возбуждении, когда мы наблюдаем электропроводность, энергия активации электропроводности должна согласовываться с энергией оптического перехода, определяемой из спектра поглощения данного соединения. [19]

На экситонную природу оптического возбуждения, приводящего к фотопроводимости, указывают также Еременко и Медведев [47], которые на примере того же антрацена показали, что длина диффузионного пробега экситонов, определяемая из спектральной зависимости фотопроводимости ( если принять экситонное происхождение фотопроводимости), совпадает с длиной пробега экситонов, определяемой из спектральной зависимости интенсивности люминесценции. [20]

Полупроводниковые лазеры с оптическим возбуждением по существу являются конверторами - преобразователями излучения одной длины волны в когерентное излучение другой длины волны. [21]

Полупроводниковые квантовые генераторы с оптическим возбуждением на основе GaAs [741, 742], CdS [743, 744], InSb [745], InAs [745, 746] были созданы в 1965 г., а затем на основе CdSe [747, 748], CdSK - CdSe [749 - 751], Cd. [22]

Заканчивая описание лазеров с оптическим возбуждением кристалла, сделаем некоторые замечания общего характера относительно применения этого метода создания активной среды. [23]

Энергия, поглощенная при оптическом возбуждении кристалла, в основном рассеивается в решетке, переходя в тепловую энергию. Если, однако, потенциальные кривые для основного и возбужденного состояний не пересекаются, как это показано на рис. 5, б, то электрон может возвратиться в основное состояние только путем перехода с излучением. Это излучение нормально должно иметь большую длину волны, чем поглощенное излучение, так как за то время, когда электрон находится в возбужденном состоянии, часть энергии рассеивается в решетке тепловым путем. [24]

Туннельный ток, как и оптическое возбуждение, связан с переходом из зоны в зону. Поэтому возможны два тина туннельных переходов. Если вершина валентной зоны находится в той же точке р-пространства, что и дно зоны проводимости, то происходят прямые переходы. [25]

Уже указывалось, что пределом оптического возбуждения атома является процесс ионизации и что в простом случае, например у цезия, та легкость, с которой электрон может быть удален из атома ( или добавлен к нем), зависит от электронной структуры атома. Для химиков наибольшее значение представляют ионы, устойчивые в растворах, почему и необходимо показать соотношение между диссоциацией и электронной структурой атомов, а следовательно, и их положением в периодической таблице. [26]

Это значение подтверждается и экспериментами с оптическим возбуждением кристаллов. Подвижности носителей в направлении с были измерены в работе [159] с помощью метода кристаллического счетчика. [27]

Спектральная характеристика квантового выхода фотоэмиссии натрия. [28]

ФЭ из полупроводника может быть обусловлена оптическим возбуждением электронов из зоны проводимости ( в вырожденных полупроводниках re - типа), с уровней примесей или дефектов или из валентной зоны. Для каждого из этих случаев Ачо имеет свое значение. Обычно, если иное не оговорено, под фотоэлектрической работой выхода понимают минимальную энергию фотонов, при которой начинается ФЭ из валентной зоны полупроводника. Это значение может совпадать с термоэлектронной работой выхода eq полупроводника или быть больше нее. При этом фотоэлектрическая работа выхода становится равной ширине запрещенной зоны полупроводника, а квантовый выход ФЭ резко возрастает, так как выходить из полупроводника в вакуум могут электроны, переведенные излучением из валентной зоны в зону проводимости и имеющие в ней практически нулевую энергию. [29]

Спектральная характеристика квантового выхода фотоэмиссии натрия. [30]

Страницы: 1 2 3 4