Оптическое возбуждение

Cтраница 3

ФЭ из полупроводника может быть обусловлена оптическим возбуждением электронов из зоны проводимости ( в вырожденных полупроводниках n - типа), с уровней примесей или дефектов или из валентной зоны. Для каждого из этих случаев Ам0 имеет свое значение. Обычно, если иное не оговорено, под фотоэлектрической работой выхода понимают минимальную энергию фотонов, при которой начинается ФЭ из валентной зоны полупроводника. Это значение может совпадать с термоэлектронной работой выхода еф полупроводника или быть больше иее. При этом фотоэлектрическая работа выхода становится равной ширине запрещенной зоны полупроводника, а квантовый выход ФЭ резко возрастает, так как выходить из полупроводника в вакуум могут электроны, переведенные излучением из валентной зоны в зону проводимости и имеющие в ней практически нулевую энергию. [31]

Диаграмма конфигурационных координат для электронных переходов между уровнями дефектов в халькогенидных полупроводниках.| Зависимость энергии максимума Ед и полуширины спектра люминесценции ЕВ в стеклообразных и кристаллических полупроводниках от ширины оптического зазора Е0пт. [32]

Франка - Кондона [666, 667], согласно которому оптическое возбуждение и оптическая рекомбинация протекают быстрее, чем релаксация структурной сетки, так что оптические переходы на диаграмме конфигурационных координат должны быть вертикальными. Кроме того, на диаграмме хорошо видно, что оптическая составляющая энергии релаксации, представляющая собой энергию излучательной рекомбинации, имеет значительно меньшую величину общей энергии релаксационного процесса, что и является причиной стоксова сдвига. [33]

Электронно-дырочная плазма в полупроводнике может быть создана путем оптического возбуждения. Оценки показывают, что в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной плазма находится в термодинамическом равновесии, поскольку время жизни возбужденных состояний измеряется микросекундами. [34]

Только при очень высоких температурах, когда происходит оптическое возбуждение молекул, надо помимо основного электронного уровня учитывать и другие. [35]

Система лазера состоит из источника энергии, источника оптического возбуждения, резонатора с активной средой и системы оптической фокусировки. [36]

Избыточные носители можно инжектировать в однородный гомогенный полупроводник путем оптического возбуждения или путем бомбардировки быстрыми электронами; в результате возникает излучение, обычно называемое соответственно фотолюминесценцией и катодолюминесценцией Приложение сильного электрического поля для получения свободных носителей путем ударной ионизации представляет собой еще один возможный метод инжекции, но на практике его трудно использовать в случае объемного полупроводника Наиболее эффективный метод инжекции больших концентраций носителей в полупроводниках заключается в использовании р - - перехода, включенного в прямом направлении; на этом принципе основано действие полупроводниковых лазеров и светодиодов ( некогерентных источников света), как это описано в гл. [37]

Требуются теоретические и экспериментальные исследования для сравнения процессов кулоновского и оптического возбуждения. [38]

Схематическое изображение движения электрона от А - к А в тройном комплексе А М А. [39]

Такой путь, однако, может реализоваться при оптическом возбуждении. [40]

Только при очень высоких температурах, когда имеет место оптическое возбуждение молекул, надо помимо основного электронного уровня учитывать и другие. [41]

Ясно, что с помощью достаточно сильного теплового или оптического возбуждения электроны могут быть вырваны за пределы металла. Минимальная, необходимая для этого энергия носит название работы выхода металла ср и является одной из основных его характеристик. Работа выхода металла соответствует энергии ионизации J изолированного атома. [42]

На рис. 1 дана простейшая, часто применяемая схема оптического возбуждения люминесценции и исследования ее спектрального состава. [43]

Однако имеются достаточно веские экспериментальные и теоретические доказательства наличия прямого оптического возбуждения СТ-состояний в гомомолекулярных кристаллах, в особенности в более сильно окрашенных членах полиаценового ряда и особенно при значениях энергии возбуждения, меньших их ширины запрещенной зоны. [44]

Подводя итоги, можно сказать, что представляется физически реальным оптическое возбуждение в полупроводниках когерентных импульсов деформации длительностью та1 - 100 пс, пространственной протяженностью 0 01 - 1 мкм, с давлениями порядка 100 - 1 кбар. [45]

Страницы: 1 2 3 4