Туннелирование - электрон
Cтраница 1
Туннелирование электрона; как уже сказано, ему отвечают времена порядка Ю-7-10-6 с и расстояния порядка 10 - 20 А. [1]
Туннелирование электрона через изолирующий барьер между двумя нормальными проводниками представляет собой хорошо известное квантовомеханическое явление. Даже если энергия электрона недостаточна для преодоления барьера, для него существует конечная вероятность оказаться по другую сторону барьера. В сущности волновая функция электрона проникает через барьер, уменьшаясь в определенной степени, причем это уменьшение зависит от высоты и ширины потенциального барьера, разделяющего два проводника. Значительный ток возникает тогда, когда барьер становится очень узким, типичная толщина его составляет обычно несколько десятков ангстрем. [2]
На туннелирование электронов в наноразмерных структурах существенное влияние оказывает квантовое ограничение. Квантование их энергетических состояний в тонких периодически расположенных ямах вызывает появление у туннелирования резонансного характера. [3]
Из-за квантового туннелирования электронов между разными зонами появляются К. [5]
Для стирания можно использовать туннелирование электронов с плавающего затвора в окисел вверх и последующий их дрейф на управляющий затвор. [6]
В РТМ используется явление туннелирования электронов между двумя близко расположенными электродами. Принцип работы РТМ заключается в том, что металлическая игла, закрепленная в трехко-ординатном пьезоприводе, перемещается над исследуемой поверхностью на расстоянии, обеспечивающем протекание туннельного тока. [7]
При этом появляется возможность туннелирования электронов сквозь потенциальный барьер ( см. § 1.3) из зоны проводимости в валентную зону. Очевидно, что туннельный ток будет тем больше, чем тоньше переход и чем выше напряженность электрического поля в переходе. [8]
Этот результат можно объяснить туннелированием электрона к реагирующей частице через поры в адсорбционном слое, которые заполнены молекулами воды, причем реагирующая частица в поры не проникает, а находится против них с внешней стороны монослоя. В этом случае перенос электрона не требует затраты работы, связанной с изменением электрического поля у электрода за счет адсорбции дипольных молекул ПАОВ, и ток не чувствителен к сдвигу потенциала нулевого заряда. В самом деле, с увеличением концентрации ПАОВ в растворе число пор сокращается и пропорционально уменьшается ток, обусловленный переносом через них электронов. [9]
Такое расстояние достаточно мало для туннелирования электронов через контакт, т.е. для протекания туннельного тока; ж 1 - 10 нА между острием в образцом, при разности потенциалов V между ними от единиц мВ до неск. Синхронная со сканированием запись сигнала обратной связи Vz ( на двухкоординатном самописце - в виде кривых, на экране телевиз. Она совпадает с геом. [11]
 |
Энергетическая диаграмма туннельного перехода в системе металл-диэлектрик-металл. [12] |
Работа СТМ основана на эффекте туннелирования электронов сквозь узкий потенциальный барьер между металлической поверхностью и зондом, которым служит тонкое острие. [13]
В диоде без внешнего напряжения существует туннелирование электронов из га-области в р-область и обратно. [14]
В диоде без внешнего напряжения существует туннелирование электронов из л-области в р-область и обратно. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5