Туннелирование - электрон
Cтраница 3
Пусть два проводящих материала находятся в контакте друг с другом через слой изолятора, столь тонкий, что через него возможно туннелирование электронов. [31]
 |
Влияние добавки еотор-н-бутанола в раствор Cd2 ( 1 - 10 4 М в 1 М КС1. / - 0. 2 - 3 13 10 - 2. 3 - б, 25 Ю 2. 4 - 12 5 - 10 - 2. 5 - 25 Ю 2. б - 50 10 М в / иор-н-бутанола. [32] |
Видно, что фоновая вольтамперная кривая ( 1М КС1) имеет прямолинейный вид ( омическая поляризация) и может определяться в основном упругим туннелированием электронов. Процессы взаимодействия ионов меди и кадмия с электроном вызывают резкое увеличение тока при потенциалах порядка 0 24 В и 0 63 В соответственно. [33]
Память, функционирующая при очень низкой температуре, обычно при температуре жидкого гелия ( около 4К), ка основе эффектов сверхпроводимости и туннелирования электронов. [34]
Электрическая проводимость в диэлектрике достигается наложением на ниобиевый или танталовый зонд электрического поля большой напряженности ( 107 - 108 в / см), что приводит к туннелированию электронов в объеме анализируемого вещества. [35]
 |
Вольт-амперная характеристика полупроводника со сверхрешеткой. [36] |
Когда поле станет таким, что энергия нижнего уровня в n - й яме станет равна энергии второго уровня ( п 1) - й ямы, возникнет резкий всплеск тока ( рис. 10.21), связанный с туннелированием электронов из n - й в ( п 1) - ю яму. В ней электрон, отдав энергию решетке, перейдет на первый уровень, а далее туннелирует в ( п 4 - 2) - ю яму, и процесс повторится. Аналогичный всплеск тока возникает и при электрических полях, когда основной уровень сравнивается со следующим возбуждением в соседней яме. [37]
 |
Туннельное прохождение электронов через тонкие диэлектрические. [38] |
Рассмотрим качественно вид ВАХ туннельной структуры. Так как туннелирование электронов может идти лишь на свободные уровни, то в отсутствие внешнего смещения участвовать в переходах будет лишь незначительная часть электронов, энергия которых близка к фермиевской. Эти электроны образуют встречные потоки равной величины. [39]
При небольшом прямом напряжении на туннельном диоде происходит уменьшение высоты потенциального барьера электронно-дырочного перехода или смещение энергетической диаграммы л-области относительно энергетической диаграммы р-области. Поэтому будет происходить преимущественное туннелирование электронов из - области в р-область. [40]
 |
Зависимости ZT различных сверхрешеток от характерного размера. [41] |
Такой пакет образует так называемую сверхрешетку квантовых ям. Барьерные слои должны предотвращать туннелирование электронов из одной квантовой ямы в другую, что размыло бы квантовый эффект. Материалом пленок служил РЬТе. [42]
Туннельный ( зинеровский) пробой обычно имеет место в диодах с резким переходом при сильном легировании р - и п-обла-стей. Увеличение тока определяется здесь туннелированием электронов и дырок через потенциальный барьер запорного слоя. [43]
Нелинейность ВАХ варисторов ( рис. 11.1) обусловлена явлениями на точечных контактах между кристаллами карбида кремния. При малых напряжениях на варисторе может происходить туннелирование электронов сквозь тонкие потенциальные барьеры, существующие на поверхности кристаллов карбида кремния. [44]
 |
Туннельный эффект в МДП - и МДПДМ-структурах. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5