Туннелирование - электрон
Cтраница 2
Следовательно, время, необходимое для туннелирования электронов, может меняться на несколько порядков, не приводя при этом к сколько-нибудь существенным изменениям измеряемых констант скоростей. Если время туннелирования станет больше, чем время соударения, то константа - скорости будет уже меньше диффузионно-контролируемых величин. В связи с этим зависимость скорости реакции от времени туннелирования усиливается при сдвиге поверхностного потенциала в отрицательную сторону. [16]
Он основан на использовании квантового эффекта туннелирования электронов через тонкий изолирующий слой, помещенный между двумя металлическими пленками. Для оптимального разрешения изолирующий слой должен иметь толщину примерно 2 - 3 нм ( 20 - 30 А), при этом он может состоять из двух частей: подложки из окисла какого-нибудь металла и нанесенного на нее монослоя или субмонослоя исследуемого органического вещества. К изолирующему слою прикладывается небольшая разность потенциалов, и регистрируются колебательные спектры компонентов слоя, определяемые энергетическими потерями при туннелировании электронов. Обычно результаты получают в виде второй производной ( d2I / dV2) туннельного тока / как функции приложенного напряжения V, так как при использовании именно таких координат спектр неупругого электронного туннелирования ( НЭТ) аналогичен ИК-спектру. [17]
Механизм действия туннельных диодов связан с туннелированием электронов сквозь потенциальный барьер. Время, необходимое для завершения этого процесса, составляет 10 - 13 - 10 - 14 с. Поэтому туннельные диоды способны работать на частотах до сотен гигагерц, что соответствует миллиметровому диапазону радиоволн. Верхний предел частотного диапазона работы туннельных диодов ограничен лишь паразитными реактивностями - собственной емкостью, основу которой составляет барьерная емкость электронно-дырочного перехода, и индуктивностью выводов и корпуса. [18]
При таком механизме электропроводности процесс идет за счет туннелирования электрона из одного примесного состояния в другое вследствие перекрытия примесных волновых функций. [19]
 |
Диаграмма потенциальной энергии для четырех форм барьеров. [20] |
Поскольку эмиссия в поле является квантовомеханическим явлением, включающим туннелирование электронов через потенциальный барьер, работа выхода, измеряемая методом электронного проектора, зависит как от формы, так и от высоты барьера. Таким образом, результаты измерения работы выхода методом электронного проектора могут значительно отличаться от результатов измерений методом контактного потенциала или методом термоиопной эмиссии, которые не зависят от формы барьера. [21]
Переход между двумя металлами, для которого характерна возможность управления туннелированием электронов при криогенных температурах. Джозефсон в 1962 г., может работать как сверхбыстродействующий электронный ключ с очень малой рассеиваемой мощностью. [22]
 |
Диаграмма энергия - ю - 9 длительность лазерного импульса хн. линиями указаны уровни, равной мощности, Свехсилъным ID полям соответствует мощность i 1 ТВт. [23] |
При / / тж 10 Вт / сма атом ионизуется за счет туннелирования электрона в световом поле за время порядка светового периода; этим определяется предельная оптич. [24]
Плотность туннельного тока в зависимости от свойств применяемых материалов определяется в основном изменением вероятности туннелирования электронов сквозь потенциальный барьер р-п перехода. [25]
 |
Энергетическая диаграмма ( а и ВАХ ( б обращенных. [26] |
Обратная ветвь ВАХ обращенного диода аналогична обратной ветви ВАХ туннельного диода, так как при обратных напряжениях происходит туннелирование электронов из валентной зоны р-об-ласти в зону проводимости я-области. [27]
Обратная ветвь ВАХ обращенного диода аналогична обратной ветви ВАХ туннельного диода, так как при обратных напряжениях происходит туннелирование электронов из валентной зоны р-области в зону проводимости л-области. [28]
Напротив занятых электронами уровней в зоне проводимости - области находятся занятые энергетические уровня валентной зоны р-области, и туннелирование электронов из - в р-область маловероятно. Соответственно напротив занятых электронами уровней р-области оказываются свободные изоэнергетические уровни зоны проводимости - области. Следовательно, происходит туннелирование электронов из р - в - область а через диод протекает обратный ток / обр. При увеличении Uo6p число перекрывающихся свободных в - области и занятых в р-области уровней растет, повышается число электронов, которые могут туннелировать через переход, обратный ток диода резко подскакивает. [29]
Молекулярные переключатели на основе ротаксанов во включенном виде ( обычно это химически восстановленное состояние) обладают проводимостью за счет туннелирования электронов между незанятыми орбиталями. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5