У-параметр
Cтраница 2
Недостатком системы у-параметров является то, что приходится создавать режим короткого замыкания на входе, что далеко от реальных условий работы транзистора. [16]
Комплексные проводимости У-параметров учитывают как резне-тивные, так и емкостные составляющие проводимостей областей биполярной транзисторной структуры. На некоторых практических моделях или эквивалентных схемах показываются не комплексные проводимости У -: лементов, а отдельно резистивные или емкостные элементы. Только в этом случае устанавливается однозначная зависимость между токами и напряжениями на входе и выходе транзистора. [17]
Частотную зависимость У-параметров транзистора в схеме с общим эмиттером установим с помощью рассмотренной модели. [18]
 |
Передача сигнала через четырехполюсник слева направо. [19] |
Эти проводимости ( у-параметры) называют основными параметрами четырехполюсника. [20]
Юа целесообразно применять первичные У-параметры. [21]
Расчеты с использованием комплексных У-параметров оказываются весьма трудоемкими. [22]
На первом этапе реализации у-параметры преобразуют в компактные. [23]
 |
Семейство входных ста - [ IMAGE ] Семейство выходных статиче-тичеоких характеристик транзис - ских характеристик транзистора / к. [24] |
В общем случае все У-параметры являются комплексными величинами. [25]
В дальнейшем будут использоваться У-параметры - параметры, соответствующие проводимостям. [26]
Будем полагать, что У-параметры обоих транзисторов определены в схеме с общим эмиттером. [27]
Задачу решаем в системе У-параметров. [28]
В данной работе для У-параметров транзисторов при включении по схеме с общим эмиттером в качестве индексов используются буквы: б-база и к-коллектор. [30]
Страницы: 1 2 3 4