Cтраница 4
ЕУ Уц УХ2 У21 У22 - Формулы определяют У-параметры усилительного элемента при учете влияния индуктивности ввода общего электрода. [46]
Для анализа и практического применения целесообразно заменить обозначения У-параметров такими, которые бы раскрывали их физический смысл. В общем случае эти параметры имеют комплексный характер и их следует обозначить: Уп - У - входная проводимость; К1а - У обр - проводимость обратной связи; F21 S - крутизна характеристики; F22 YI - выходная проводимость. [47]
Следовательно, в данном случае целесообразно пользоваться системой У-параметров. [48]
Для полевых транзисторов наиболее удобна схема замещения с У-параметрами, в которой источники энергии представлены генераторами напряжения. [49]
Для упрощения анализа этой формулы будем полагать, что У-параметры обоих - транзисторов одинаковы. [50]
Эту систему параметров называют системой короткого замыкания или системой у-параметров. Ее недостаток в том, что приходится создавать режим короткого замыкания на входе, что далеко от реальных условий работы триода. [51]
Итак, для того чтобы определить ход частотной зависимости У-параметров транзистора, необходимо знать четыре проводимости g i, gin, § г, § 22, две предельные частоты юр, со5 и емкость коллектора CKg. [52]
На рис. 5.19 а б приведены схемы замещения с У-параметрами для четырехполюсника без ОС и с ОС соответственно. [53]
Получилось параллельное регулярное соединение четырехполюсников, поэтому удобно пользоваться У-параметрами. Все величины, относящиеся к верхнему четырехполюснику, будем обозначать с дополнительным индексом о, к нижнему - 6, а к общему - без дополнительного индекса. [54]
Величины г-параыетров одномерной теоретической модели можно легко выразить через ее у-параметры с помощью табл. 5.1. В качестве примера произведем расчет для полупроводникового триода с переносом носителей путем диффузии. [55]
Комплексные коэффициенты данной системы уравнений, имеющие размерность проводимостей ( У-параметры), так же являются внешними параметрами транзистора, которые можно выразить через Z-параметры или непосредственно определить опытным путем. [56]
Для упрощения анализа формулы ( 226) предположим, что У-параметры обоих транзисторов одинаковые. [57]
Из рис. 2.56 видно, что любой четырехполюсник, задаваемый У-параметрами, может быть замещен схемой, содержащей два двухполюсных источника синусоидальных колебаний - входной и выходной. [58]