У-параметр

Cтраница 3

Для выяснения физического смысла любого У-параметра надо в строке записанной системы (3.4) оставить только тот член, который содержит этот параметр. [31]

Следовательно, между первичными У-параметрам: и и физическими параметрами go, gn диода имеет место простейшая взаимосвязь. С учетом рис. 2.5 а и ф-л (3.43) каноническая схема четырехполюсника, изображающего диод, приведена на рис. 3.9 г. Из этой схемы следует, что преобразовательный прибор так же, как и усилителыные приборы, может быть представлен идеализированным четырехполюсником, описываемым при рассматриваемом соотношении между частотами, двумя синусоидально изменяющимися проводимостями gCB и gc B и двумя неизменными проводим сетями go на входе и выходе. [32]

Пользуясь для обобщенного анализа У-параметрами, определим коэффициент передачи по номинальной мощности в обобщенной схеме рис. 4.1 а. Для этого предварительно вычислим параметры эквивалентного генератора тока со стороны выходных зажимов. [33]

Будем полагать, что известны У-параметры обоих транзисторов для включения с общим эмиттером. [34]

Так как для транзистора известны У-параметры, то для анализа в качестве координат схемы выбираем узловые пары. Обозначив на схеме ( рис. 56) узлы /, 2, 0 на основании полной матрицы транзистора ( 76), находим укороченную матрицу схемы усилителя без учета проводимости нагрузки Ун в результате вычеркивания э-й строки и э-го столбца. [35]

Эквивалентная схема транзистора для 1 -пара-метров. [36]

Полученной эквивалентной схемой транзистора для У-параметров не очень удобно пользоваться при расчетах, так как комплексные проводимости У-параметров не являются ни собственными, ни физическими параметрами транзистора, которые можно было бы найти в справочной литературе. В связи с этим в П - образной эквивалентной схеме комплексные проводимости заменяются на так называемые собственные параметры транзистора. Для схемы включения транзистора с ОЭ к собственным параметрам относятся активные проводимости Я, э Вб к 8кз н емкости эмиттерного и коллекторного р-п переходов Сб э и Сб / к, которые можно измерить или рассчитать, зная другие параметры транзистора, приводимые в справочной литературе. [37]

Для схемы включения с общим эмиттером У-параметры можно легко определить, что является одним из преимуществ этой системы. [38]

Эквивалентная схема транзистора как линейного шумящего четырехполюсника с шумовыми генераторами тока на входе и выходе. [39]

Идеальный транзистор имеет такие же величины малосигнальных У-параметров, что и реальный, и учитывает усилительные свойства последнего. Эквивалентные источники шумового тока i и г 2 учитывают шумы реального транзистора. Так как шумы на входе и выходе транзистора могут создаваться одним и тем же внутренним источником, токи ii и / 2 статистически связаны ( каррелированы) друг с другом. [40]

По сравнению с Z - и У-параметрами / г-параметры имеют смешанную размерность, поэтому они называются смешанной или гибридной системой параметров: h - входное сопротивление транзистора; h 2 - коэффициент обратной связи по напряжению, / i2i - коэффициент передачи ( усиления) тока; fizz - выходная проводимость транзистора. Коэффициент h z показывает степень влияния выходного напряжения на входные вольт-амперные характеристики. [41]

Структурная схема усилителя с параллельной обратной связью по напряжению. [42]

Для анализа полученного четырехполюсника необходимо определить его У-параметры. [43]

Зависимость дифференциальной проводимости ysigsi ibst от изменения HI. ( - - - - - - - - - - - - - - - - 8si - - - - - - - - - - - - - - bsi. [44]

С помощью ЭЦВМ Минск-22 был проведен расчет дифференциальных и средних У-параметров схемы рис. 2 для пленарных транзисторов типа KT - 307iB при / 03 ма. [45]

Страницы: 1 2 3 4