Увеличение - концентрация - носитель
Cтраница 1
Увеличение концентрации носителей с ростом температуры приводит к возрастанию темнового тока. [1]
 |
Структура электрического домена.| Энергети ческие зоны полупроводника в сильном электрическом поле. [2] |
Увеличение концентрации носителей в этом случае осуществляется за счет туннельного перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. [3]
Увеличение концентрации носителей, происходящее главным образом в нижней части базы ( рис. 2 - 29), приводит к уменьшению ее сопротивления, причем уменьшается и внутреннее падение напряжения Um - Это содействует увеличению прямого тока через р-п переход. [4]
При увеличении концентрации носителей также происходит сдвиг края поглощения в сторону больших энергий, однако резкие пороги поглощения не наблюдаются даже при температуре абсолютного нуля, поскольку при каждой энергии фотона возможны процессы поглощения с переходом в некоторую область состояний зоны проводимости как выше, так и ниже уровня Ферми. [5]
Такой способ увеличения концентрации носителей называется инжекцией, и, следовательно, р - n - переход при подаче на него прямого напряжения инжектирует неравновесные неосновные носители заряда. [6]
По мере увеличения концентрации носителей их подвижность сначала понижается, а затем возрастает. Такой вид зависимости объясняется захватом носителей границами зерен. Подвижность носителей в пленках ограничена из-за процессов термоионной и термоэлектронной эмиссии на границах зерен. [7]
При повышении температуры увеличение концентрации носителей в примесных полупроводниках происходит в основном за счет увеличения числа неосновных носителей, так как все атомы примеси обычно ионизованы уже при комнатной температуре. Поскольку концентрация неосновных носителей мала, то ее изменения не оказывают существенного влияния на электропроводность примесных полупроводников и у них зачастую обнаруживается малый и даже положительный температурный коэффициент сопротивления. Однако при достаточно высоких температурах концентрация неосновных носителей может практически сравняться с концентрацией основных носителей. [9]
Этот рост вызывается увеличением концентрации носителей тока при неизменном значении их подвижности. [10]
 |
Расчетные начальные стадии кривых релаксации. [11] |
Из (28.12) видно, что увеличение концентрации носителей п уменьшает а. На - более удобно изменять концентрацию п с помощью постоянной подсветки. Этот метод широко используется, в частности, для того, чтобы уменьшить или полностью исключить влияние прилипания на фотопроводимость. [12]
Частота винтовой нестабильности уменьшается с увеличением концентрации носителей тока, и поэтому для области 2 - 6 мм частота будет ниже, чем для области 12 - 16 мм. [13]
При более высоких температурах уменьшение подвижности компенсируется увеличением концентрации носителей, поступающих из валентной зоны, в результате чего с увеличением температуры о снова сильно растет. [14]
 |
Влияние ионизирующих излучений на. [15] |
Страницы: 1 2 3 4